[發明專利]一種陣列基板、顯示裝置及顯示裝置的驅動方法無效
| 申請號: | 201210297351.4 | 申請日: | 2012-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN102832212A | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發明(設計)人: | 王本蓮;祁小敬;蔣冬華 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L29/786;G09G3/20;G02F1/1362;G02F1/1368 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 驅動 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板、顯示裝置及顯示裝置的驅動方法。
背景技術
TFT-LCD(薄膜場效應晶體管-液晶顯示器)、OLED(有機發光二極管)顯示裝置、電子紙等顯示裝置的陣列基板采用行列矩陣驅動模式,具體的由N行柵線和M列數據線交叉形成行列矩陣,實現對行列矩陣中的每個像素電極的控制。
在分辨率不變的前提下,為了降低產品的成本,可以考慮減少數據線的數量。為達到這一目的,現有技術提出了一種基于Dual?Gate(雙柵線)的像素掃描結構,其具體實現方式如下:
假設顯示面板的分辨率為N*M,即有N*M個像素電極。陣列基板包括N行柵線(G1~GN)、M/2列數據線(D1~DM/2)、和N*M個單柵極的TFT(薄膜場效應晶體管)。其中,一行柵線和一行數據線交叉處設置有2個TFT,一個TFT為柵極正壓開啟的TFT(用TFT+表示),另一個TFT為柵極負壓開啟的TFT(用TFT-表示)。
其工作原理為:在一條柵線的掃描周期內,該柵線的前半幀信號為正向開啟電壓,作為與其連接的柵極正壓開啟的TFT+的使能信號,使得與TFT+連接的數據線將數據驅動信號輸出給TFT+對應的像素電極;該柵線的后半幀信號為負向開啟電壓,作為與其連接的柵極負壓開啟的TFT-的使能信號,使得與TFT-連接的數據線將數據驅動信號通過輸出給TFT-對應的像素電極。
上述現有的陣列基板中,由于同時存在柵極正壓開啟的TFT和柵極負壓開啟的TFT,那么,TFT的截止電壓只能設置在0V。單柵極的TFT在0V時會產生漏電流,無法實現正常截止,因此無法應用到實際產品中。
發明內容
本發明的目的是提供一種陣列基板、顯示裝置及顯示裝置的驅動方法,用以解決現有技術中薄膜晶體管驅動過程中產生的漏電流的問題。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的:
一種陣列基板,包括,柵線、數據線和像素電極,還包括:
在每條柵線和每條數據線的交叉處有兩個多柵極結構的像素開關,其中一個為柵極正壓開啟的像素開關,另一個為柵極負壓開啟的像素開關;
一條柵線和一條數據線交叉處的兩個多柵極結構的像素開關用于驅動位于所述數據線兩側且與所述數據線連接的兩個像素電極;
一條柵線和一條數據線交叉處的兩個多柵極結構的像素開關的各個柵極均與所述柵線連接。
一種顯示裝置,包括上述的陣列基板。
一種顯示裝置的驅動方法,在一條柵線的掃描周期內,所述掃描周期被劃分為第一時段和第二時段,該方法包括:
在所述掃描周期的第一時段,向上述的陣列基板中的一條柵線輸出正向開啟電壓;
在所述掃描周期的第二時段,向上述陣列基板中的所述柵線輸出負向開啟電壓。
一種顯示裝置的驅動方法,在一條柵線的掃描周期內,所述掃描周期被劃分為第一時段、第二時段和第三時段,所述第二時段的時序在所述第一時段與所述第三時段之間,該方法包括:
在所述掃描周期的第一時段,向上述的陣列基板中的一條柵線輸出正向開啟電壓;
在所述掃描周期的第二時段,向上述陣列基板中的所述柵線輸出0V電壓;
在所述掃描周期的第三時段,向上述陣列基板中的所述柵線輸出負向開啟電壓。
在相同分辨率下,本發明提供的陣列基板,由于柵極負壓開啟的像素開關和柵極正壓開啟的像素開關采用多柵極結構。因此,本發明提供的陣列基板及包含該陣列基板的顯示裝置可以有效抑制漏電流的產生。另外,本發明提供的顯示裝置的驅動方法,通過應用在本發明提供的顯示裝置上,實現了上述的產品的有益效果。
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的陣列基板局部結構示意圖;
圖2為本發明實施例提供的第一種陣列基板結構示意圖;
圖3為本發明實施例提供的第二種陣列基板結構示意圖;
圖4為本發明實施例提供的第三種陣列基板結構示意圖;
圖5為本發明實施例提供的第四種陣列基板結構示意圖;
圖6為本發明實施例提供的第五種陣列基板結構示意圖;
圖7為本發明實施例提供的第六種陣列基板結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





