[發明專利]淺溝槽隔離制造方法

在審

• 申請號: 201210297229.7
• 申請日: 2012-08-20
• 公開（公告）號: CN103633008A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 唐兆云;閆江;楊濤;王桂磊
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種淺溝槽隔離制造方法，包括：

在襯底中形成淺溝槽；

執行離子注入，在淺溝槽底部的襯底中形成摻雜區；

執行熱氧化，在淺溝槽底部形成墊氧化層；

在淺溝槽中填充沉積氧化物，形成具有倒梯形截面的淺溝槽隔離。

2.如權利要求1的制造方法，其中，形成淺溝槽的步驟進一步包括：

在襯底上形成硬掩模層；

刻蝕硬掩模層形成硬掩模圖形；

以硬掩模圖形為掩模，刻蝕襯底形成淺溝槽。

3.如權利要求2的制造方法，其中，硬掩模層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及其組合。

4.如權利要求2的制造方法，其中，硬掩模層厚度為10～200nm。

5.如權利要求1的制造方法，其中，淺溝槽具有正梯形截面，側壁與水平線之間的交角在75度至88度之間。

6.如權利要求1的制造方法，其中，注入的離子包括B、P、H、Na、Cl及其組合。

7.如權利要求6的制造方法，其中，注入的離子為Cl，注入原料為HCl。

8.如權利要求1的制造方法，其中，注入能量為20KeV至100KeV，注入劑量為1E14至5E15原子/cm²。

9.如權利要求1的制造方法，其中，熱氧化工藝的溫度為900～1200攝氏度。

10.如權利要求1的制造方法，其中，墊氧化層上部厚度小于下部厚度。