[發(fā)明專利]低成本的太陽能組件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210296680.7 | 申請日: | 2012-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN103633161A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金劉 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇格林保爾光伏有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金輝 |
| 地址: | 213161 江蘇省常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低成本 太陽能 組件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種低成本的太陽能組件。
背景技術(shù)
太陽能電池組件,也叫太陽能電池板,是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分,也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中最重要的部分。太陽能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。太陽能電池作為綠色能源,越來越受到人們的關(guān)注。傳統(tǒng)的太陽能電池組件的正電極采用銀或鋁印制柵線,成本較高,而使用氧化鋁的導(dǎo)電性能不佳。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種制作簡便的低成本的太陽能組件。
實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:一種低成本的太陽能組件,具有依次層疊的負(fù)極層、N型硅層、P型硅層和正極層;所述正極層為氧化鋁層,正極層上均布有若干小孔;所述各小孔內(nèi)置有銀層。
上述技術(shù)方案所述負(fù)極層和N型硅層之間還設(shè)有第一氮化硅減反射膜層。
上述技術(shù)方案所述氮化硅減反射膜層和N型硅層之間還設(shè)有二氧化硅鈍化膜層。
上述技術(shù)方案所述P型硅層和正極層之間還設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層。
上述技術(shù)方案所述負(fù)極層為銀層。
上述技術(shù)方案所述負(fù)極層的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵以及與主柵垂直且等間距分布的副柵。
上述技術(shù)方案所述正極層上具有背電極和背電場。
采用上述技術(shù)方案后,本發(fā)明具有以下積極的效果:
(1)本發(fā)明的正極層為氧化鋁層,正極層上均布有若干小孔;所述各小孔內(nèi)置有銀層;采用氧化鋁為正極層,并在征集層上均布置銀的小孔,不僅提高了導(dǎo)電性,同時節(jié)約了銀漿的使用,降低了制作成本。
(2)本發(fā)明采用PECVD沉積氮化硅膜作為太陽能組件的減反射膜層,?主要作用是減少光的反射,而且氮化硅膜含有大量的氫,可以很好的鈍化硅中的表面懸掛鍵,從而提高了載流子遷移率;同時,在氮化硅膜與N型硅之間沉積二氧化硅膜,可以更有效的減少入射光在太陽能電池表面的反射損失,提高太陽能組件吸收陽光的量,并能讓太陽能組件吸收來自各個角度的全部陽光光譜,從而使太陽能電站的經(jīng)濟(jì)效益大為改善。
(3)本發(fā)明的正極層和P型硅層之間設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層;二氧化硅具有吸雜、鈍化的作用,可以提高反射效率。
附圖說明
為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解,下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖,對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖中1.負(fù)極層,11.主柵,12.副柵,2.N型硅層,3.P型硅層,4.正極層,41.背電極,42.背電場,5.氮化硅減反射膜層,6.第一二氧化硅鈍化膜層,7.第二二氧化硅鈍化膜層。
具體實施方式
(實施例1)
見圖1,本發(fā)明具有依次層疊的負(fù)極層1、N型硅層2、P型硅層3和正極層4;負(fù)極層1為銀層,負(fù)極層1的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵11以及與主柵11垂直且等間距分布的副柵12;負(fù)極層1和N型硅層2之間還設(shè)有氮化硅減反射膜層5;氮化硅減反射膜層5和N型硅層2之間設(shè)有第一二氧化硅鈍化膜層6;正極層1為氧化鋁層,正極層4上具有背電極41和背電場42;正極層1上均布有若干小孔;各小孔內(nèi)置有銀層;P型硅層3和正極層4之間設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層7。
以上所述的具體實施例,對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





