[發明專利]硅臺面半導體器件的PN結保護方法

有效

• 申請號: 201210296649.3
• 申請日: 2012-08-21
• 公開（公告）號: CN102779764A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 周明;穆連和;顧理建;王榮元
• 申請（專利權）人: 南通明芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所 32106
• 代理人: 江平

1.?硅臺面半導體器件的PN結保護方法，其特征在于包括以下步驟：

1）在完成了擴散工序的硅片表面采用氣相沉積法覆蓋SIPOS薄膜，并采用掩膜的方法，去除多余的SIPOS薄膜，只在PN結表面保留SIPOS薄膜；

2）將玻璃粉的稀釋混合液涂敷在硅片表面，低溫焙燒后，去除多余的玻璃粉，再將硅片置于擴散爐內，在O₂氣氛中燒結。

2.根據權利要求1所述硅臺面半導體器件的PN結保護方法，其特征在于在所述步驟1）中，將完成擴散和臺面成型的硅片清洗干凈并甩干后，裝入載片舟，在CVD爐內溫度為650±20℃的條件下，無氧條件下，將SiH₄、N₂O的混合液進行汽化處理60±5分鐘，然后將硅片載片舟拉出，取下硅片；再采用化學清洗劑對硅片進行清洗并甩干后，再在硅片的表面覆蓋厚度為2～3μm的光刻膠，將硅片裝入片架，并置于90±5℃的烘箱內處理30±5分鐘，取出片架，選擇性曝光、顯影，再將硅片片架置于150±5℃的烘箱內處理30±5分鐘后取出；再經腐蝕窗口、去除光光刻膠，則在硅片的PN結表面沉積了SIPOS薄膜。

3.根據權利要求2所述硅臺面半導體器件的PN結保護方法，其特征在于經CVD爐處理后，在硅片上覆蓋的SIPOS薄膜厚度為1～2μm。

4.根據權利要求2所述硅臺面半導體器件的PN結保護方法，其特征在于所述SiH₄、N₂O的混合液的混合投料質量比為85～90︰10～15。

5.根據權利要求2所述硅臺面半導體器件的PN結保護方法，其特征在于所述化學清洗劑的組分為：HNO₃、HF和冰乙酸，各成分的質量比為10︰1︰1。

6.根據權利要求1所述硅臺面半導體器件的PN結保護方法，其特征在于在所述步驟2）中，采用化學清洗劑對硅片進行清洗并甩干后，在硅片的表面均勻涂敷玻璃粉的稀釋混合液層，并裝入載片舟，在爐內溫度為470±5℃的擴散爐中，在O₂氣氛中焙燒20±2分鐘；再將載片舟拉出擴散爐，去除硅片表面多余的玻璃粉，再將硅片裝上載片舟，置于爐內溫度為820±5℃的擴散爐中，在O₂氣氛中燒結20±2分鐘，然后取出硅片。

7.根據權利要求6所述硅臺面半導體器件的PN結保護方法，其特征在于所述化學清洗劑的組分為：氨水、雙氧水和水，各成分的質量比為?1︰2︰5。

8.根據權利要求6所述硅臺面半導體器件的PN結保護方法，其特征在于所述玻璃粉的稀釋混合液由乙基纖維素和玻璃粉以2.5︰1的質量比混合組成。

9.根據權利要求6所述硅臺面半導體器件的PN結保護方法，其特征在于在硅片的表面涂敷的玻璃粉的稀釋混合液層的厚度為15～20μm。