[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210296595.0
• 申請日: 2010-01-28
• 公開（公告）號: CN102790076A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐佐木有司
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/32;H01L29/66;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基體；

第一導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域，包括整體形成來覆蓋所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基體整個(gè)表面的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體區(qū)域；

第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域，包括第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體區(qū)域，所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體區(qū)域周期地設(shè)置在大致平行于所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基體的主表面的方向上，并且在與所述第一導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域大致相同的方向上設(shè)置為條形圖案；

元件區(qū)域和終止區(qū)域，提供在所述第一和第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域中，在所述元件區(qū)域中形成晶體管，而在所述終止區(qū)域中不形成晶體管；

所述元件區(qū)域中的晶體管的本體區(qū)域，形成在所述第一導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域的表面上并且與所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域接觸，所述本體區(qū)域包括第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體區(qū)域；

柵絕緣膜，形成在所述第一導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域和所述本體區(qū)域上；

柵極電極，以橫跨所述本體區(qū)域的部分和所述第一導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域的表面的部分的方式形成在所述柵絕緣膜上；

源區(qū)域，在所述柵極電極的端部形成在所述本體區(qū)域表面的部分上，所述源區(qū)域包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體區(qū)域；以及

本體電位提取區(qū)域，形成在所述本體區(qū)域的表面上，所述本體電位提取區(qū)域包括第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)擴(kuò)散層，其中

空隙形成在所述終止區(qū)域的所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域中。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中

所述終止區(qū)域中的所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域的形狀與所述元件區(qū)域中的所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域的形狀不同。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中

所述終止區(qū)域中的所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域形成為從它們與所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域接觸的位置朝著所述半導(dǎo)體裝置的端部在厚度上逐漸增加。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中

所述終止區(qū)域中的所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域形成為從它們與所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域接觸的位置朝著所述半導(dǎo)體裝置的端部在厚度上逐漸減小。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中

所述終止區(qū)域中的所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域的所述端部形成矩形，并且寬于所述元件區(qū)域中的所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中

所述終止區(qū)域中的所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域與所述元件區(qū)域中的所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域分開。

7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基體的主表面上外延生長第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；

在所述外延生長的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的表面上形成氧化膜；

在所述氧化膜上形成抗蝕劑層；

在所述抗蝕劑層中形成抗蝕劑圖案，使所述抗蝕劑圖案具有周期地設(shè)置在大致平行于所述半導(dǎo)體基體的主表面的方向上的開口部分；

通過采用所述抗蝕劑圖案作為掩模去除所述氧化膜；

去除所述抗蝕劑圖案；

通過采用所述氧化膜作為掩模去除所述外延生長的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層而形成溝槽；

去除在形成所述溝槽期間用作掩模的所述氧化膜；

用第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層填充所述溝槽，形成第一和第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域，使得所述第一和第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域周期地設(shè)置在大致平行于所述半導(dǎo)體基體主表面的方向上；

在所述元件區(qū)域中的所述第一和第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域的表面上形成柵絕緣膜；

在所述柵絕緣膜上形成柵極電極；

在所述外延生長的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上形成第二導(dǎo)電類型本體區(qū)域；

在所述本體區(qū)域上形成第一導(dǎo)電類型源區(qū)域；以及

在所述本體區(qū)域上形成第二導(dǎo)電類型本體電位提取區(qū)域，其中

在形成所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域的步驟中，在所述終止區(qū)域的所述第二導(dǎo)電類型臺柱區(qū)域中形成空隙。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其中

在所述抗蝕劑圖案形成步驟中，在形成晶體管的所述元件區(qū)域中所述開口部分形成的形狀與在沒有形成晶體管的所述終止區(qū)域中的形狀不同。