[發明專利]用于集成電路中選定晶體管性能提升的注入

有效

• 申請號: 201210295652.3
• 申請日: 2012-08-17
• 公開（公告）號: CN102956555A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: M·D·施羅夫;W·F·約翰斯頓;C·E·溫特勞布
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/266;H01L27/02;H01L27/088
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金曉

1.一種用于形成半導體結構的方法，該方法包括：

執行第一注入到半導體基底中以形成阱，在所述阱中將形成相同導電類型的多個晶體管，其中形成的多個晶體管的第一子組中的每個晶體管具有滿足預定寬度限制的晶體管寬度，形成的多個晶體管的第二子組的每個晶體管具有不滿足預定寬度限制的晶體管寬度，并且其中第一子組和第二子組相互不包含；

執行第二注入到半導體基底中，從而第二注入進入半導體基底的在阱中多個晶體管的第一子組晶體管將要形成的位置，而不進入半導體基底的在阱中多個晶體管的第二子組晶體管將要形成的位置；以及

在所述阱中形成多個晶體管，其中多個晶體管的第一子組的每個晶體管的溝道區域形成在半導體基底的接收第二注入的部分，以及多個晶體管的第二子組的每個晶體管的溝道區域形成在半導體基底的不接收第二注入的部分。

2.如權利要求1的方法，其中執行第二注入到半導體基底中包括：

注入具有與第一注入期間注入的摻雜物導電類型相反的導電類型的摻雜物。

3.如權利要求1的方法，還包括：

在執行第二注入之前，在半導體基底上形成圖案化的掩模層，其中圖案化的掩模層暴露阱中多個晶體管的第一子組晶體管將要形成的位置而不暴露阱中多個晶體管的第二子組晶體管將要形成的位置，

其中執行第二注入的步驟使用圖案化的掩模層來執行第二注入。

4.如權利要求3的方法，其中在阱中形成多個晶體管之前，該方法還包括移除圖案化的掩模層。

5.如權利要求1的方法，其中執行第二注入到半導體基底中包括：

注入與在第一注入期間所注入的相同的摻雜物。

6.如權利要求1的方法，其中在阱中形成多個晶體管的特征還在于，多個晶體管的第一子組晶體管具有第一閾值電壓，第二子組晶體管具有高于第一閾值電壓的第二閾值電壓。

7.如權利要求1的方法，其中在阱中形成多個晶體管的特征還在于，多個晶體管的第一子組的每個晶體管通過小于預定晶體管寬度而具有滿足預定寬度限制的晶體管寬度，而多個晶體管的第二子組的每個晶體管通過不小于預定晶體管寬度而具有不滿足預定寬度限制的晶體管寬度。

8.如權利要求1的方法，其中在阱中形成多個晶體管包括：

形成用于多個晶體管的每個晶體管的柵電極；以及

形成與每個柵電極的第一側壁相鄰的第一源極/漏極區域和與每個柵電極的第二側壁相鄰的第二源極/漏極區域，其中多個晶體管的每個晶體管的溝道區域位于晶體管的柵電極之下，在每個晶體管的第一和第二源極/漏極區域之間。

9.如權利要求8的方法，其中在阱中形成多個晶體管的特征還在于，晶體管的第一子組的第一晶體管緊鄰于晶體管的第二子組的第二晶體管，其中第一晶體管和第二晶體管共用源極/漏極區域。

10.如權利要求1的方法，其中在阱中形成多個晶體管的特征還在于，多個晶體管的第一子組晶體管的溝道區域的結果摻雜濃度小于多個晶體管的第二子組晶體管的溝道區域的結果摻雜濃度。

11.一種用于形成半導體結構的方法，該方法包括：

執行第一注入到半導體基底中以形成阱，在所述阱中形成相同導電類型的多個晶體管，其中形成的多個晶體管的第一子組的每個晶體管具有小于預定寬度的晶體管寬度，以及形成的多個晶體管的第二子組的每個晶體管具有不小于預定寬度的晶體管寬度，并且其中第一子組和第二子組相互不包含；

在半導體基底和阱上形成圖案化的掩模層，其中圖案化的掩模層暴露半導體基底的在阱中多個晶體管的第一子組晶體管將要形成的位置而不暴露半導體基底的在阱中多個晶體管的第二子組晶體管將要形成的位置；

使用圖案化的掩模層執行第二注入到半導體基底中，從而第二注入進入半導體基底中被圖案化的掩模層暴露的位置；

移除圖案化的掩模層；以及

在阱中形成多個晶體管，其中多個晶體管的第一子組的每個晶體管的溝道區域形成在半導體基底接收第二注入的部分，而多個晶體管的第二子組的每個晶體管的溝道區域形成在半導體基底不接收第二注入的部分。

12.如權利要求11的方法，其中執行第二注入到半導體基底中包括：

注入具有和在第一注入期間注入的摻雜物的導電類型相反導電類型的摻雜物。