[發明專利]離子注入設備

有效

• 申請號: 201210295451.3
• 申請日: 2012-08-17
• 公開（公告）號: CN102956428A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 內藤勝男
• 申請（專利權）人: 日新離子機器株式會社
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 關兆輝;謝麗娜

1.一種離子注入設備，所述離子注入設備從離子源發射離子束，并且在所述離子注入設備中對布置在加工腔室內的襯底執行離子注入，其中，所述離子束具有正電荷以及有著長邊方向和短邊方向的矩形截面或長橢圓截面，所述離子注入設備包括：

射束電流測量裝置，所述射束電流測量裝置測量所述離子束沿所述長邊方向的射束電流密度分布；

偏轉電極，所述偏轉電極基于由所述射束電流測量裝置測量的結果，使所述離子束的至少一部分沿所述長邊方向朝向所述短邊方向偏轉；和

遮蔽構件，所述遮蔽構件部分地遮蔽由所述偏轉電極偏轉的所述離子束，

其中，所述偏轉電極包括平板電極和包括多個電極的電極組，所述電極組布置成面對所述平板電極，以便將所述離子束置于所述平板電極與所述電極組之間，

所述平板電極電接地，

所述多個電極彼此電獨立，且

所述多個電極的每一個均連接至與其他電源獨立的電源以執行電位設置。

2.根據權利要求1所述的離子注入設備，其中

所述離子束沿所述長邊方向的尺寸比所述襯底的尺寸長，且

當對所述襯底執行離子注入時，沿著所述離子束的所述短邊方向傳送所述襯底。

3.根據權利要求1或2所述的離子注入設備，其中

當所述射束電流測量裝置所測量的結果未滿足所期望的值時，對所述多個電極進行設置，使得所有電極都具有負電位。

4.根據權利要求1或2所述的離子注入設備，其中

當所述射束電流測量裝置所測量的結果不是所期望的值時，對構成所述電極組的所述多個電極進行設置，使得一些電極處于負電位、而其余的電極處于地電位。

5.根據權利要求1或2所述的離子注入設備，其中

將所述多個電源連接至偏壓電源，以基于地電位來共同地設置所述多個電源的電位。

6.根據權利要求5所述的離子注入設備，其中

所述偏壓電源將所述多個電源的電位共同地設置成負電位。