[發明專利]低壓欠壓直通過壓保護限流電路

有效

• 申請號: 201210295251.8
• 申請日: 2012-08-20
• 公開（公告）號: CN102801135A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 李子菏
• 申請（專利權）人: 深圳市大乘科技有限公司
• 主分類號: H02H3/20
• 分類號: H02H3/20;H02H9/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低壓欠壓直通過壓保護限流電路，其特征在于，包括P溝道的MOS管Q10和4個NPN型三極管Q11、Q12、Q13和Q14；

???MOS管Q10的S極接低壓欠壓直通過壓保護限流電路的正輸入端Vin，MOS管Q10的D極通過電阻R18接低壓欠壓直通過壓保護限流電路的正輸出端Vout；MOS管Q10的G極與Vin之間接有電阻R19；

???電阻R22和電阻R26串接成第一分壓支路，且電阻R22與Vin相接，R26接地；第一分壓支路的分壓點接Q13的B極；Q13的C極通過電阻R17接Vin；Q13的E極接地；

??Q14的B極接Q13的C極，Q14的C極接Q10的G極；Q14的E極接地；

??電阻R21和電阻R25串接成第二分壓支路；且電阻R21與Vout相接，電阻R25接地；第二分壓支路的分壓點接Q12的B極，Q12的C極和E極分別接Q14的B極和地；

???電阻R20和電阻R27形成第三分壓支路；且R20接Q10的D極，R27接地；第三分壓支路的分壓點接Q11的B極，Q11的C極和E極分別接Q12的C極和Vout；

???在Vin與地之間以及Vout與地之間均接有濾波電容。

2.根據權利要求1所述的低壓欠壓直通過壓保護限流電路，其特征在于，各電阻與各自的電阻值對應關系如下：

R17??200K；

R18??0.5；

R19??200K；

R20??560；

R21??12K；

R22??10K；

R25??1.75K；

R26??910；

R27??10K；電阻的阻值單位均為歐姆。