[發明專利]母座、功率半導體模塊以及具有多個功率半導體模塊的半導體模塊組裝件

在審

• 申請號: 201210293867.1
• 申請日: 2012-08-17
• 公開（公告）號: CN102956570A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: F.杜加爾
• 申請（專利權）人: ABB技術有限公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/04;H01L25/07;H01L25/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 姜甜;李浩

1.?功率半導體模塊(1)，包括：

基板(2)，

至少一個功率半導體器件(3)，其設置在所述基板(2)上，以及

包含支腳和首部的至少一個第一母座(6)，所述支腳和所述首部可沿所述母座的縱軸互相相對移動，所述支腳和所述首部電互連并且在所述支腳和所述首部之間設置彈簧元件以在所述支腳和所述首部上施加向外的力，由此提供所述至少一個第一母座(6)以通過所述支腳(8)的基底(12)接觸至少一個接觸元件(4a、4b)，其中

為所述至少一個第一母座(6)提供具有管狀主體的絕緣部件(13)，用于使所述第一母座(6)的所述支腳(8)的外表面(14)電隔離。

2.?如以上權利要求1所述的功率半導體模塊，

其中

所述絕緣部件(13)設置到所述支腳(8)周圍。

3.?如以上權利要求中的任一項所述的功率半導體模塊，

其中

所述管狀主體的厚度為0.5?mm到2.0?mm。

4.?如以上權利要求中的任一項所述的功率半導體模塊，

其中

所述絕緣部件(13)延伸于所述支腳(8)的整個高度。

5.?如以上權利要求中的任一項所述的功率半導體模塊，

其中

所述絕緣部件(13)包含陶瓷基底材料。

6.?如以上權利要求5所述的功率半導體模塊，

其特征在于

所述陶瓷基底材料為Al₂O₃。

7.?如以上權利要求中的任一項所述的功率半導體模塊(1)，

其中

提供至少一個第二母座(7)以接觸所述一個或多個功率半導體器件(3)的至少一個接觸元件(4a、4b)，其中所述第二母座(7)包括支腳和首部，所述支腳和所述首部可沿所述母座的縱軸互相相對移動，所述支腳和所述首部電互連并且在所述支腳和所述首部之間設置彈簧元件以在所述支腳和所述首部上施加向外的力。

8.?如以上權利要求中的任一項所述的功率半導體模塊(1)，

其中

所述至少一個功率半導體器件(3)是絕緣柵雙極晶體管、反向導電絕緣柵雙極晶體管、雙模絕緣柵晶體管或二極管。

9.?如以上權利要求中的任一項所述的功率半導體模塊(1)，

其中

所述功率半導體模塊(1)包含多個功率半導體器件(3)，提供至少一個接觸元件作為所述多個功率半導體器件(3)的公共控制觸點(4b)，以及

所述至少一個第一母座(6)與提供作為所述公共控制觸點(4b)的所述至少一個接觸元件接觸。

10.?如權利要求9所述的功率半導體模塊(1)，

其中

所述公共控制觸點(4b)在所述基板(2)上提供。

11.?如以上權利要求中的任一項所述的功率半導體模塊(1)，

其中

所述功率半導體模塊(1)包含殼體(15)，由此

導電蓋子形成所述殼體(15)的頂面并提供所述功率半導體模塊(1)的第一觸點，

基板(2)形成所述殼體(15)的基底并提供所述功率半導體模塊(1)的第二觸點，

所述至少一個功率半導體器件(3)的第一觸點通過第一或第二母座(6、7)與所述蓋子電接觸，以及

所述至少一個功率半導體器件(3)的控制觸點(4b)通過第一母座(6)與所述蓋子接觸。

12.?功率半導體模塊組裝件，包含多個如以上權利要求1到11中的任一項所述的功率半導體模塊(1)，由此

所述功率半導體模塊(1)互相并排設置，且相鄰功率半導體模塊(1)之間電連接。

13.?如以上權利要求12所述的功率半導體模塊組裝件，

其特征在于

所述功率半導體模塊(1)的所述基板(2)互相電連接。

14.?如以上權利要求12或13所述的功率半導體模塊組裝件，

其特征在于

所述功率半導體模塊組裝件包含殼體，由此

導電蓋子形成所述殼體的頂面并提供所述功率半導體模塊組裝件的第一觸點，所述第一觸點與所述功率半導體模塊(1)的第一觸點接觸，以及

所述功率半導體模塊(1)的所述基板(2)貫穿所述殼體的基底。