[發明專利]晶體硅太陽能電池的制備方法

無效

• 申請號: 201210293497.1
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN102810600A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 范志東;張小盼;孔默;趙學玲;郭延嶺
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;余剛

1.一種晶體硅太陽能電池的制備方法，包括制絨、擴散、濕法刻蝕、減反射膜的沉積、絲網印刷和燒結，其特征在于，所述減反射膜的沉積步驟包括：

遮擋硅片上的主柵線位置；以及

沉積氮化硅形成所述減反射膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積氮化硅。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述遮擋硅片上的主柵線位置是通過將遮擋體放置在所述硅片上的主柵線位置進行物理遮擋而實現的。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述遮擋體的材質是石墨。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述遮擋體包括：

多條遮擋條，與所述硅片的主柵線位置相適配。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述遮擋體進一步包括固定所述遮擋條的框架。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述框架與所述硅片的外周相適配。