[發明專利]多層金屬-氧化硅-金屬電容器的制作方法

無效

• 申請號: 201210293348.5
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN102779735A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 毛智彪;周軍;張月雨;王丹
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種多層金屬-氧化硅-金屬電容器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，提供襯底；

步驟2，通過等離子體增強化學氣相沉積和含氮氣體處理兩步循環的方式在所述襯底上形成氧化硅層；

步驟3，對所述氧化硅層進行光刻及刻蝕，去除MOM電容區域之外的氧化硅層；

步驟4，沉積低K值介質層，所述低K值介質層覆蓋所述襯底及所述MOM電容區域的氧化硅層，并用化學機械研磨去除高出MOM電容區域的氧化硅層的多余的低k值介質層，形成低k值介質層和氧化硅層的混合層；

步驟5，在所述低k值介質層和氧化硅層的混合層上再沉積低K值介質層；

步驟6，對所述低k值介質層進行光刻及刻蝕，在所述低K值介質層中形成互連金屬槽及電容金屬槽，其中，電容金屬槽位于氧化硅層上方且電容金屬槽的底部連通至氧化硅層，互連金屬槽用于后續形成互連；

步驟7，在所述互連金屬槽及電容金屬槽中填充金屬；

重復步驟2至步驟7。

2.如權利要求1所述的多層金屬-氧化硅-金屬電容器的制作方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積采用的反應氣體包括硅烷和一氧化二氮。

3.如權利要求2所述的多層金屬-氧化硅-金屬電容器的制作方法，其特征在于，所述硅烷的流量在500sccm至600sccm之間，所述一氧化二氮的流量在9000sccm至15000sccm之間，硅烷與一氧化二氮的流量比為1:15至1:30之間，成膜速率在1500納米/分鐘至5000納米/分鐘之間。

4.如權利要求1所述的多層金屬-氧化硅-金屬電容器的制作方法，其特征在于，所述含氮氣體包括一氧化氮、一氧化二氮或氮氣。

5.如權利要求1所述的多層金屬-氧化硅-金屬電容器的制作方法，其特征在于，所述含氮氣體處理所采用的含氮氣體流量在2000sccm至6000sccm之間，處理溫度在300攝氏度至600攝氏度之間。

6.如權利要求1所述的多層金屬-氧化硅-金屬電容器的制作方法，其特征在于，所述通過等離子增強化學氣相沉積和含氮氣體處理兩步循環的方式形成氧化硅的過程中，每次沉積的氧化硅厚度為1納米至10納米。