[發(fā)明專利]芯片接合機及接合方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210293184.6 | 申請日: | 2012-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN103000562A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 中島宜久;田中深志;牧浩 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社日立高新技術(shù)儀器 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 張敬強;嚴(yán)星鐵 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 接合 方法 | ||
1.一種芯片接合機,其特征在于,具有:
吸附芯片的筒夾;
頂出粘著有上述芯片的分割帶的頂出單元;
將利用上述筒夾吸附且被頂出的上述芯片從上述分割帶剝離并拾取的拾取頭;
將拾取后的上述芯片接合在電路板上的接合頭;以及
利用上述頂出時的上述筒夾與上述芯片之間的間隙引起的漏氣流量的減少與正常的剝離相比小規(guī)定量來判斷芯片的撓曲的第一判斷機構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片接合機,其特征在于,
上述第一判斷機構(gòu)以微分值觀察上述漏氣流量的減少。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片接合機,其特征在于,
具有利用上述漏氣流量為一定或大致一定來判斷芯片破裂的第二判斷機構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片接合機,其特征在于,
如果上述漏氣流量在規(guī)定時間為第一規(guī)定以下或上述漏氣流量的減少為第二規(guī)定以下,則上述第一判斷機構(gòu)將上述撓曲判斷為上述正常的剝離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的芯片接合機,其特征在于,
上述頂出單元具有將上述芯片的周邊部中的規(guī)定部的分割帶頂出而形成剝離起點的剝離起點形成機構(gòu),在形成上述剝離起點時進行上述第一判斷機構(gòu)的判斷。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片接合機,其特征在于,
上述剝離起點形成機構(gòu)具有形成上述剝離起點的銷,上述規(guī)定部設(shè)在上述芯片的四角部分中至少一個角部分上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片接合機,其特征在于,
上述頂出單元具有在上述周邊部的內(nèi)側(cè)以平面頂出上述分割帶的內(nèi)側(cè)塊與包圍上述內(nèi)側(cè)塊的外側(cè)塊,在利用上述內(nèi)側(cè)塊與上述外側(cè)塊、或上述內(nèi)側(cè)塊進行上述頂出時,進行上述第一判斷機構(gòu)的判斷。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片接合機,其特征在于,
上述接合頭兼作上述拾取頭。
9.一種接合方法,其特征在于,
具有下述步驟:
利用筒夾吸附芯片的吸附步驟;
頂出粘著有芯片的分割帶的頂出步驟;
將利用上述筒夾吸附且被頂出的上述芯片從上述分割帶剝離的剝離步驟;
將剝離后的上述芯片接合在電路板上的接合步驟;以及
利用在上述頂出時的上述筒夾與上述芯片之間的間隙引起的漏氣流量的減少與正常的剝離相比小規(guī)定量來判斷芯片的撓曲的第一判斷步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的接合方法,其特征在于,
上述第一判斷步驟以微分值觀察上述漏氣流量的減少。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的接合方法,其特征在于,
具有利用上述漏氣流量為一定或大致一定來判斷芯片破裂的第二判斷步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的接合方法,其特征在于,
如果上述漏氣流量在規(guī)定時間為第一規(guī)定以下或上述漏氣流量的減少為第二規(guī)定以下,則上述第一判斷步驟將上述撓曲判斷為上述正常的剝離。
13.根據(jù)權(quán)利要求9或11所述的接合方法,其特征在于,
上述頂出將上述芯片的周邊部中的規(guī)定部的分割帶頂出而形成剝離起點,在形成上述剝離起點時進行上述第一判斷步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的接合方法,其特征在于,
在設(shè)在上述芯片的四角部分中至少一個角部分上的上述規(guī)定部形成上述剝離起點。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





