[發明專利]金屬柵極形成方法

無效

• 申請號: 201210293124.4
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN102779746A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 鄭春生
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/8238
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種金屬柵極形成方法，包括：

提供一襯底，所述襯底上形成有無定形碳柵極以及圍繞所述無定形碳柵極的側墻，所述襯底中形成有源極和漏極；

在所述源極和漏極上形成金屬硅化物層；

在所述襯底上形成CESL應力層并執行退火工藝；

在所述CESL應力層上形成層間介質層；

平坦化所述層間介質層直至暴露所述無定形碳柵極頂面的CESL應力層；

去除所述無定形碳柵極頂面的CESL應力層；

去除所述無定形碳柵極，在所述層間介質層內形成溝槽；以及

形成填充所述溝槽且覆蓋所述層間介質層的金屬層。

2.如權利要求1所述的金屬柵極形成方法，其特征在于，所述CESL應力層為應力氮化硅層。

3.如權利要求2所述的金屬柵極形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述CESL應力層。

4.如權利要求3所述的金屬柵極形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝采用的刻蝕液體為磷酸溶液。

5.如權利要求1所述的金屬柵極形成方法，其特征在于，所述退火工藝是快速熱退火或者激光脈沖退火工藝。

6.如權利要求1所述的金屬柵極形成方法，其特征在于，采用氧氣灰化工藝去除所述無定形碳柵極。

7.如權利要求6所述的金屬柵極形成方法，其特征在于，所述氧氣灰化工藝采用遠程或原位的方式產生氧離子體。