[發明專利]一種淺槽源電極結構超結器件的制作工藝

有效

• 申請號: 201210292965.3
• 申請日: 2012-08-17
• 公開（公告）號: CN102789990A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 陳橋梁;任文珍;陳仕全;馬治軍;杜忠鵬
• 申請（專利權）人: 西安龍騰新能源科技發展有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114
• 代理人: 李罡

1.一種淺槽源電極結構超結器件的制作工藝，其特征在于：通過以下步驟實現：

（1）、在N+襯底上生長N外延層，然后深槽刻蝕并深槽外延填充形成P柱；

（2）、利用P型體區光刻版掩膜使用較低能量的硼離子注入并高溫推結形成P型體區；

（3）、在形成P型體區之后采用高能硼離子使用接觸孔光刻版掩膜注入在P型體區內形成P+區埋層結構；

（4）、通過干氧工藝制作致密的柵氧化層、多晶硅淀積并利用多晶硅光刻版掩膜刻蝕得到多晶硅柵結構；

（5）、高濃度的砷離子采用多晶硅柵結構自對準注入，形成N+源區；

（6）、在多晶硅柵結構表面淀積BPSG介質層，在950℃氮氣氛圍下回流30分鐘，并使用接觸孔光刻版掩膜對BPSG介質層刻蝕及硅外延層的過刻蝕形成淺槽；

（7）、整個器件的上表面淀積一層鋁，并利用金屬光刻版掩膜刻蝕鋁形成源電極和柵電極，鈍化，背面金屬化形成漏電極。

2.根據權利要求1所述的一種淺槽源電極結構超結器件的制作工藝，其特征在于：所述的制作工藝的步驟（1）中P柱也可以通過多次外延多次離子注入之后進行長時間高溫推結形成。

3.根據權利要求1所述的一種淺槽源電極結構超結器件的制作工藝，其特征在于：所述的制作工藝的步驟（1）中P柱通過深槽刻蝕并進行P型外延填充方式進行制備。

4.根據權利要求1所述的一種淺槽源電極結構超結器件的制作工藝，其特征在于：所述的制作工藝的步驟（2）中P型體區采用硼離子注入能量為20~80KeV，劑量為1×10¹⁵cm^-2~9×10¹⁵cm^-2。

5.根據權利要求1所述的一種淺槽源電極結構超結器件的制作工藝，其特征在于：所述的制作工藝的步驟（3）中P⁺區埋層結構采用硼離子注入能量為60~200KeV，劑量為2×10¹⁵cm^-2~2×10¹⁶cm^-2。

6.根據權利要求1所述的一種淺槽源電極結構超結器件的制作工藝，其特征在于：所述的制作工藝的步驟（5）中N⁺源區結構采用磷離子注入能量為20~80KeV，劑量為3×10¹⁵cm^-2~2×10¹⁶cm^-2。