[發(fā)明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210292632.0
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN102779789A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發(fā)明（設計）人: 鄭春生
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

在襯底上依次形成第一緩沖層、第一無定形碳層、第二緩沖層以及第二無定形碳層；

在所述第二無定形碳層上形成圖形化的光阻層；

以所述圖形化的光阻層為掩膜，刻蝕所述第二無定形碳層形成圖形化的第二無定形碳層，同時所述圖形化的光阻層被消耗掉；

以所述圖形化的第二無定形碳層為掩膜，刻蝕所述第二緩沖層以及第一無定形碳層形成圖形化的第二緩沖層和圖形化的第一無定形碳層，同時所述圖形化的第二無定形碳層被消耗掉；

以所述圖形化的第二緩沖層和圖形化的第一無定形碳層為掩膜，刻蝕所述第一緩沖層形成圖形化的第一緩沖層，以形成堆疊結構；以及

在所述堆疊結構側壁形成保護層。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一緩沖層為氧化層。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一緩沖層利用爐管熱氧化的方式形成。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二緩沖層為氧化層或氮化硅層。

5.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二緩沖層利用PECVD方式形成。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一無定形碳層以及第二無定形碳層利用PECVD方式形成。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述第二無定形碳層上形成圖形化的光阻層之前，還包括：

在所述第二無定形碳層上形成抗反射涂層。

8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述堆疊結構側壁形成保護層之后，還包括：

形成第一淺結光阻層，所述第一淺結光阻層覆蓋所述第二區(qū)域；

進行離子注入工藝，在所述第一區(qū)域中形成輕摻雜漏極；

采用氧氣灰化工藝去除所述第一淺結光阻層；

形成第二淺結光阻層，所述第二淺結光阻層覆蓋所述第一區(qū)域；

進行離子注入工藝，在所述第二區(qū)域中形成輕摻雜漏極；以及

采用氧氣灰化工藝去除所述第二淺結光阻層。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述堆疊結構側壁形成保護層之后，還包括：

形成第一源/漏光阻層，所述第一源/漏光阻層覆蓋所述第二區(qū)域；

進行離子注入工藝，在所述第一區(qū)域中形成源/漏極；

采用氧氣灰化工藝去除所述第一源/漏光阻層；

形成第二源/漏光阻層，所述第二源/漏光阻層覆蓋所述第一區(qū)域；

進行離子注入工藝，在所述第二區(qū)域中形成源/漏極；以及

采用氧氣灰化工藝去除所述第二源/漏光阻層。