[發明專利]一種制造半導體器件的方法

無效

• 申請號: 201210292608.7
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN103035503A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 金岡卓
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/288
• 分類號: H01L21/288;C25D7/12;C25D21/12
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 溫旭;郝傳鑫

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括如下步驟：

制備半導體晶片，所述半導體晶片包括在其上形成的插嵌的夾層絕緣膜；

在所述夾層絕緣膜上形成絕緣膜；

通過干法刻蝕在所述絕緣膜的給定區域中形成配線槽；

在包括配線槽的絕緣膜上形成銅種子薄膜；

通過電鍍設備使用電鍍方法在所述種子薄膜上形成鍍銅薄膜；

除去配線槽之外的區域中的鍍銅薄膜和種子薄膜并且形成嵌入配線槽內的鍍銅薄膜的配線；

其中，在通過電鍍設備形成鍍銅薄膜的步驟中，當所述半導體晶片浸泡在電鍍溶液中以形成鍍銅薄膜時，檢測施加在陰極和陽極之間的電鍍電壓，以及

確定檢測到的電鍍電壓是否落入預先設定的設定電壓范圍內，并且

其中，在測定的結果中，當電鍍電壓未落入設定電壓范圍內時，對電鍍溶液中的無機成分的濃度進行調節，使得電鍍電壓的電壓值落入設定電壓范圍內。

2.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，當電鍍電壓高于設定電壓范圍的上限時，根據電鍍電壓，對電鍍溶液中的無機成分的濃度進行調節，使所述濃度增加，并且

其中，在測定的結果中，當電鍍電壓低于設定電壓范圍的下限值時，根據電鍍電壓的電壓值，對電鍍溶液中的無機成分的濃度進行調節，使得所述濃度降低。

3.如權利要求2所述的制造半導體器件的方法，

其中，當所述電鍍電壓高于設定電壓范圍的上限值時，對電鍍溶液中的無機成分的濃度的調節為將鹽酸供給至電鍍溶液中。

4.如權利要求2所述的制造半導體器件的方法，

其中，當所述電鍍電壓高于設定電壓范圍的上限值時，供給形成電鍍溶液的基礎溶液，并且

其中，所述基礎溶液包括硫酸銅、硫酸和鹽酸。

5.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中，當所述電鍍電壓低于設定電壓范圍的下限值時，供給純水。

6.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，在形成半導體晶片的鍍銅薄膜的過程中，對無機成分進行濃度調節。

7.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，在對檢測電鍍電壓之后在其上形成鍍銅薄膜的半導體晶片的處理完成之后并且在另一半導體晶片上形成鍍銅薄膜之前，對無機成分進行濃度調節。

8.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括如下步驟：

制備半導體晶片，所述半導體晶片包括在其上形成的插嵌的夾層絕緣膜；

在所述夾層絕緣膜上形成絕緣膜；

通過干法刻蝕在絕緣膜的給定區域中形成配線槽；

在包括配線槽的絕緣膜上形成銅種子薄膜；

通過電鍍設備使用電鍍方法在所述種子薄膜上形成鍍銅薄膜；

除去配線槽之外的區域中的種子薄膜和鍍銅薄膜，并且形成嵌入配線槽內的鍍銅薄膜的配線；

其中，在通過電鍍設備形成鍍銅薄膜的步驟中，當將所述半導體晶片浸泡在電鍍溶液中以形成鍍銅薄膜時，檢測電鍍溶液中的無機成分的濃度，并且

確定無機成分的濃度是否落入預先設定的設定濃度范圍內，

其中，在測定的結果中，當無機成分的濃度未落入設定濃度范圍內時，調節電鍍溶液中的無機成分的濃度，使得無機成分的濃度落入設定濃度范圍內。

9.如權利要求8所述的制造半導體器件的方法，

其中，待檢測的無機成分的濃度為電鍍溶液中鹽酸的濃度，并且

其中，當無機成分的濃度高于設定濃度范圍的上限值時，將鹽酸供給至電鍍溶液中。

10.如權利要求8所述的制造半導體器件的方法，

其中，待檢測的無機成分的濃度為電鍍溶液中鹽酸的濃度，

其中，當無機成分的濃度高于設定濃度范圍的上限值時，供給形成電鍍溶液的基礎溶液，并且

其中，基礎溶液包括硫酸銅、硫酸和鹽酸。

11.如權利要求8所述的制造半導體器件的方法，

其中，當無機成分的濃度低于設定濃度范圍的下限值時，供給純水。

12.如權利要求8所述的制造半導體器件的方法，

其中，在形成半導體晶片的鍍銅薄膜過程中，對無機成分的濃度進行調節。