[發(fā)明專(zhuān)利]微針裝置和微針施用設(shè)備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210292484.2 | 申請(qǐng)日: | 2003-07-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102872526A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 格雷厄姆·M·克萊克;麥克爾·D·德?tīng)柲獱?/a>;麥克爾·K·多姆勒澤;理查德·H·費(fèi)伯;杰伊·D·雅各布斯;賈米森·C·基斯特;弗蘭克·弗雷德里克森 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 3M創(chuàng)新有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | A61M37/00 | 分類(lèi)號(hào): | A61M37/00;A61K9/00;A61K9/70 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 梁曉廣;關(guān)兆輝 |
| 地址: | 美國(guó)明*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 施用 設(shè)備 | ||
1.一種微針裝置,其包括:
包括第一主表面的襯底;和
從該襯底的第一主表面伸出的至少一根微針,該至少一根微針包括靠近該襯底的第一主表面的基底,其中該至少一根微針從該基底到遠(yuǎn)離該基底的實(shí)心平頭末端漸縮,以便使該至少一根微針包括截頭的錐形;
其中,該實(shí)心平頭末端在與該基底對(duì)齊的平面中測(cè)量的表面積為20平方微米或以上并且為250平方微米或以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置,其中,該至少一根微針具有在該第一主表面之上從基底到平頭末端測(cè)量的高度h,其中,該至少一根微針在與基底對(duì)齊并距離該基底0.98h處的平面中測(cè)量的截面面積為20平方微米或以上并小于該至少一根微針的基底面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的裝置,其中,所述截面面積為該基底面積的25%或以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的裝置,其中,該至少一根微針包括多個(gè)微針。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的裝置,其中,該平頭末端的表面積為100平方微米或以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的裝置,其中,該平頭末端的表面積為50平方微米或以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的裝置,其中,該至少一根微針具有在該第一主表面之上的高度和最大基底尺寸,該高度和最大基底尺寸之比定義了縱橫比,其中該縱橫比為2:1或以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的裝置,其中,該至少一根微針由一種或多種聚合物形成。
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