[發明專利]半導體膜形成裝置和工藝

有效

• 申請號: 201210292464.5
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN103382551A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 周友華;李志聰;吳淑芬;林進祥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種用于在半導體襯底上形成薄膜的裝置，包括：

工藝室，被配置成支撐所述襯底；

第一氣體分配噴頭，設置在所述室中，所述第一噴頭與工藝氣體供給系統流體連通并且用于將工藝氣體散布到所述室中位于所述襯底上方的第一區域中；

第二氣體分配噴頭，設置在所述室中，所述第二噴頭與所述工藝氣體供給系統流體連通并且用于將所述工藝氣體散布到所述室中位于所述襯底上方的第二區域中，所述第二區域不同于所述第一區域；以及

氣體激勵電源系統，與所述工藝室電連接，所述電源系統用于激發所述工藝氣體并在所述工藝室內生成用于在所述襯底上形成材料膜的氣體等離子體。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第二噴頭是環形的，并且所述第一噴頭設置在所述第二噴頭內。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中，所述第一噴頭是圓形或盤形的。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第一噴頭和所述第二噴頭包括延伸穿過每個噴頭中的噴嘴板的多個氣體噴嘴，氣體噴嘴用于將工藝氣體散布到所述室中。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第一噴頭與第一氣體入口腔室流體連接，并且所述第二噴頭與第二氣體入口腔室流體連接，所述第一腔室和第二腔室相互流體隔離并且分別連接至所述工藝氣體供給系統。

6.根據權利要求5所述的裝置，進一步包括：擋環，附接至所述工藝室的頂部，所述擋環流體分離所述第一氣體入口腔室和所述第二氣體入口腔室。

7.根據權利要求5所述的裝置，其中，所述第二氣體入口腔室是環形的。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述電源系統與所述第一噴頭和所述第二噴頭電連接。

9.一種用于在半導體襯底上形成薄膜的PECVD裝置，包括：

工藝室；

襯底支撐件，設置在所述室內并且被配置成用于支撐所述襯底，被支撐的所述襯底電接地；

第一氣體分配噴頭，設置在所述室中，所述第一噴頭與工藝氣體供給系統流體連通并且用于將工藝氣體散布到所述室中位于所述襯底上方的第一區域中；

第二氣體分配噴頭，設置在所述室中并具有環形結構，所述第一噴頭設置在所述第二噴頭內，所述第二噴頭與所述工藝氣體供給系統流體連通并且用于將所述工藝氣體散布到所述室中位于所述襯底上方的第二區域中；

側板接地電極，設置在所述室中并且電接地；以及

氣體激勵電源系統，與所述工藝室電連接，所述電源系統用于激發所述工藝氣體，并且在所述工藝室內生成用于在所述襯底上形成材料膜的氣體等離子體。

10.一種用于在半導體襯底上形成薄膜的方法，包括：

將所述襯底放置在工藝室中；

將用于在所述襯底上形成材料膜的反應工藝氣體提供到所述工藝室中；

通過第一電源激發所述工藝氣體；

在所述工藝室中形成第一等離子體場；

通過第二電源激發所述氣體；

在所述工藝室中形成第二等離子體場；以及

在所述襯底上沉積半導體材料。