[發明專利]灰階掩膜版、陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201210291577.3 | 申請日: | 2012-08-15 |
| 公開(公告)號: | CN102799059A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發明(設計)人: | 惠官寶;張鋒 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F1/60;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 韓國勝 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 灰階掩膜版 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種灰階掩膜版,其特征在于,包括:
掩膜版主體,所述掩膜版主體上具有驅動電路圖案區域和像素顯示圖案區域,
所述驅動電路圖案區域中包括第一源電極掩膜圖案和第一漏電極掩膜圖案,所述第一源電極掩膜圖案和第一漏電極掩膜圖案之間具有第一溝道區,所述第一溝道區內設有第一灰階線條圖案;
所述像素顯示圖案區域中包括第二源電極掩膜圖案和第二漏電極掩膜圖案,所述第二源電極掩膜圖案和第二漏電極掩膜圖案之間具有第二溝道區,所述第二溝道區內設有第二灰階線條圖案;
所述第一灰階線條圖案的寬度大于第二灰階線條圖案的寬度。
2.如權利要求1所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述驅動電路圖案區域為柵極驅動電路圖案區。
3.如權利要求1所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述第一灰階線條圖案的寬度比第二灰階線條圖案的寬度寬0.1~0.3μm。
4.如權利要求3所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述第一灰階線條圖案的寬度比第二灰階線條圖案的寬度寬0.2μm。
5.如權利要求1所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述第一灰階線條圖案為方波形狀。
6.如權利要求1所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述第二灰階線條圖案為方波形狀。
7.一種使用權利要求1-6任一項灰階掩膜版制作的陣列基板,包含驅動電路區和像素顯示區,其特征在于,所述驅動電路區的薄膜晶體管的半導體層具有均一厚度,且所述像素顯示區的薄膜晶體管的半導體層具有均一厚度。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求7所述的陣列基板。
9.一種陣列基板的制備方法,包括形成驅動電路區域和像素顯示區域的薄膜晶體管的柵電極和柵絕緣層的步驟,形成驅動電路區域和像素顯示區域的薄膜晶體管的源/漏電極和半導體層的步驟,形成像素顯示區域的像素電極的步驟,其特征在于,所述驅動電路區域和像素顯示區域的薄膜晶體管的源/漏電極和半導體層是使用權利要求1-6任一項所述的灰階掩膜版通過一次掩膜工藝形成的。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





