[發明專利]具有無發射極區的太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201210291496.3
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN102820343A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 沈輝;陳達明
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司;中山大學
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種具有無發射極區的太陽能電池，包括硅基體，在硅基體受光面上具有柵線，柵線分為細柵（2）和匯集細柵（2）電流的主柵（4），其特征是：在所述的硅基體的受光面上具有發射極區和無發射極區，無發射極區位于主柵覆蓋區域內，主柵（4）和無發射極區的硅基體通過介質膜（5）隔離，細柵（2）與無發射極區（3）的硅基體不接觸。

2.根據權利要求1所述的具有無發射極區的太陽能電池，其特征是：硅基體受光面的無發射極區（3）外的其他區域均為具有發射極的發射極區。

3.根據權利要求1所述的具有無發射極區的太陽能電池，其特征是：所述的發射極區的發射極為均勻發射極或選擇性發射極。

4.根據權利要求1所述的具有無發射極區的太陽能電池，其特征是：所述的主柵（4）的邊緣和無發射極區（3）邊緣的距離為0.1mm~2mm。

5.根據權利要求1所述的具有無發射極區的太陽能電池，其特征是：所述的介質膜（5）為SiO₂、SiN_x:H、Al₂O₃、AlO_x中的其中一種，或者其中幾種的疊層膜。

6.一種權利要求1所述的具有無發射極區的太陽能電池的制備方法，其特征是：在熱擴散或者離子注入摻雜工藝中，通過擴散掩模或離子注入擋板覆蓋主柵（4）下的無發射極區（3），在無發射極區（3）外的其他區域形成均勻發射極或選擇性發射極,然后在硅基體的受光面鍍介質膜（5），在介質膜（5）上制作主柵（4）和細柵（2）。

7.根據權利要求6所述的具有無發射極區的太陽能電池的制備方法，其特征是：在介質膜（5）上制作主柵（4）和細柵（2）的具體工藝為：先印刷細柵（2），通過高溫燒結，與硅基體的發射極形成歐姆接觸，然后印刷低溫烘烤的電極漿料，通過低溫烘烤，形成主柵（4）。

8.根據權利要求6所述的具有無發射極區的太陽能電池的制備方法，其特征是：在介質膜（5）上制作主柵（4）和細柵（2）的具體工藝為：先印刷細柵（2），通過高溫燒結，與硅基體的發射極形成歐姆接觸，然后在主柵（4）區域采用先蒸鍍再電鍍增厚的方式制作主柵（4）。

9.根據權利要求7或8所述的具有無發射極區的太陽能電池的制備方法，其特征是：背面電極通過印刷的方式印刷至硅基體的背光面上，與印刷的細柵（2）一同高溫燒結，與硅基體形成歐姆接觸。