[發明專利]一種H半橋驅動電路

無效

• 申請號: 201210291285.X
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN102801290A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 方健;潘福躍;王賀龍;黃帥
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02M7/537
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 溫利平

1.一種H半橋驅動電路，具體包括：一電流偏置模塊、一高壓可控開關、一高壓二極管組件、一死區時間調節模塊、一電平位移模塊、一反相器、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管，其中，

所述電平位移模塊的輸入端、反相器的輸入端和死區時間調節模塊的輸入端連接在一起作為所述H半橋驅動電路的控制端；

所述高壓二極管組件的正極端接外部的高壓直流電源，所述高壓二極管組件的負極端接所述第二NMOS管的漏極，所述第二NMOS管的柵極接所述反相器的輸出端，所述第二NMOS管的源極接所述電流偏置模塊的第一輸出端，所述電流偏置模塊的第二輸出端接所述電平位移模塊的電流偏置端，所述高壓可控開關的第一端接外部的高壓直流電源，所述高壓可控開關的第二端接第二NMOS管的漏極，所述高壓可控開關的控制端接所述電平位移模塊的輸出端，所述電平位移模塊的電壓偏置端接外部的高壓直流電源，所述第一PMOS管的源極接外部的高壓直流電源，所述第一PMOS管的柵極接所述第二NMOS管的漏極，所述第一PMOS管的漏極與第一NMOS管的漏極相連接并作為所述H半橋驅動電路的輸出端，所述第一NMOS管的源極接地，所述第一NMOS管的柵極接所述死區時間調節模塊的輸出端。

2.根據權利要求1所述的H半橋驅動電路，其特征在于，所述死區時間調節模塊電路包括：一恒流源、第一可控開關、第二可控開關、一電容元件、第一反相器、第二反相器，其中，

所述恒流源的第一端接外部的低壓直流電源，所述恒流源的第二端接所述第一可控開關的第一端，所述第一可控開關的第二端接所述第二可控開關的第一端、所述電容元件的第一端以及所述第一反相器的輸入端，所述第二可控開關的第二端接地，所述電容元件的第二端接地，所述第一反相器的輸出端接所述的第二反相器的輸入端，所述第二反相器的輸出端作為所述死區時間調節模塊的輸出端，所述第一可控開關的控制端和第二可控開關的控制端連接在一起并作為所述死區時間調節模塊的輸入端。

3.根據權利要求1所述的H半橋驅動電路，其特征在于，所述的高壓可控開關通過一PMOS管實現，具體的，所述PMOS管的源極作為高壓可控開關的第一端，漏極作為高壓可控開關的第二端，柵極作為高壓可控開關的控制端。

4.根據權利要求1或3所述的H半橋驅動電路，其特征在于，所述的高壓二極管組件由均是二極管接法的兩個PMOS管串接而成；具體的，第一個PMOS管的源極作為所述高壓二極管組件的正極端，第一個PMOS管的柵極和漏極與第二個PMOS管的源極相連接，第二個PMOS管的柵極和漏極相連接作為所述高壓二極管組件的負極端。

5.根據權利要求2所述的H半橋驅動電路，其特征在于，第一可控開關具體為一NMOS管，所述NMOS管的漏極作為第一可控開關的第一端，所述NMOS管的源極作為第一可控開關的第二端，所述NMOS管的柵極作為第一可控開關的控制端。

6.根據權利要求2或5所述的H半橋驅動電路，其特征在于，第二可控開關具體為一PMOS管，所述PMOS管的源極作為第二可控開關的第一端，所述PMOS管的漏極作為第二可控開關的第二端，所述PMOS管的柵極作為第二可控開關的控制端。