[發明專利]金屬氯化物氣體發生裝置、氫化物氣相生長裝置和氮化物半導體模板

有效

• 申請號: 201210290813.X
• 申請日: 2012-08-15
• 公開（公告）號: CN102956446A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 今野泰一郎;藤倉序章;松田三智子
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L33/02;H01L29/06;C23C16/448
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;鐘海勝

1.一種金屬氯化物氣體發生裝置，其具有：筒狀的反應爐，其在上游側具有收容金屬的收容部，在下游側具有配置生長用的基板的生長部；透光性的氣體導入管，其按照從具有氣體導入口的上游側端部起經由所述收容部到達所述生長部的方式配置，從所述上游側端部導入氣體，供給至所述收容部，并將所述氣體與所述收容部內的所述金屬反應而生成的金屬氯化物氣體供給至所述生長部；隔熱板，其配置在所述反應爐內，對所述氣體導入管的所述上游側端部側和所述生長部側進行熱阻斷，

所述氣體導入管具有在所述上游側端部與所述隔熱板之間彎曲的構造。

2.根據權利要求1所述的金屬氯化物氣體發生裝置，其中，所述氣體導入管由所述氣體導入口導入氯化物氣體。

3.根據權利要求1或2所述的金屬氯化物氣體發生裝置，其中，所述隔熱板由碳或石英形成。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的金屬氯化物氣體發生裝置，其中，所述上游側端部由金屬形成。

5.一種氫化物氣相生長裝置，其具備權利要求1～4中任一項所述的金屬氯化物氣體發生裝置。

6.根據權利要求5所述的氫化物氣相生長裝置，其中，所述金屬氯化物氣體發生裝置所具有的所述氣體導入管由石英形成。

7.一種氮化物半導體模板，其為具有基板和含氯的氮化物半導體層的氮化物半導體模板，所述含氯的氮化物半導體層中鐵濃度小于1×1017cm-3。

8.根據權利要求7所述的氮化物半導體模板，其中，X射線衍射（XRD）的（0004)面的半值寬度（FWHM）為200秒以上300秒以下。

9.根據權利要求7或8所述的氮化物半導體模板，其中，具備以Si濃度為5×10¹⁸cm^-3～5×10¹⁹cm^-3的范圍摻雜有Si的Si摻雜GaN層。