[發明專利]背照式CMOS影像傳感器無效
| 申請號： | 201210290693.3 | 申請日： | 2012-08-15 |
| 公開（公告）號： | CN102779826A | 公開（公告）日： | 2012-11-14 |
| 發明（設計）人： | 費孝愛;葉菁 | 申請（專利權）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201210 海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背照式 cmos 影像 傳感器 | ||
1.一種背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，包括：
器件晶圓，所述器件晶圓具有正面及背面，所述器件晶圓中形成有光電二極管，所述光電二極管靠近所述器件晶圓的背面；
金屬遮蔽層，所述金屬遮蔽層形成于所述器件晶圓的背面，所述金屬遮蔽層中形成有開口，所述開口與所述光電二極管對應，所述開口的側壁上形成有消光層。
2.如權利要求1所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述開口正對所述光電二極管。
3.如權利要求1所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，還包括高K介質層，所述高K介質層形成于所述器件晶圓和金屬遮蔽層之間。
4.如權利要求3所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述開口露出部分高K介質層。
5.如權利要求1至4中的任一項所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述消光層為氮化物層。
6.如權利要求5所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述消光層為氮氧化硅層、氮化硅層、氮化鈦層或者氮化鉭層。
7.如權利要求5所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述消光層的厚度為200埃~700埃。
8.如權利要求1至4中的任一項所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述消光層通過等離子體增強化學氣相沉積工藝或者爐管工藝形成。
9.如權利要去1至4中的任一項所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述開口的側壁與底壁之間的夾角大于90度且小于180度。
10.如權利要求1至4中的任一項所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述金屬遮蔽層的頂面形成有消光層。
11.如權利要求1至4中的任一項所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述金屬遮蔽層的材料為鋁或者鎢。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
