[發明專利]終點檢測裝置及終點檢測方法有效
| 申請號： | 201210290651.X | 申請日： | 2012-08-15 |
| 公開（公告）號： | CN103594390B | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發明（設計）人： | 王堅;賈照偉;王暉 | 申請（專利權）人： | 盛美半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陸嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 工藝腔 二氟化氙 進氣口 氣體濃度檢測裝置 終點控制裝置 進氣控制裝置 終點檢測裝置 終點檢測 排出 預設 并發送控制信號 刻蝕工藝終點 檢測結果 控制信號 排氣口處 恒定量 排氣口 檢測 氟化 氙氣 發送 | ||
1.一種終點檢測裝置，用于二氟化氙氣相刻蝕工藝的終點檢測，其特征在于，包括：
工藝腔，開設有進氣口及排氣口；
氣體濃度檢測裝置，設置在所述工藝腔的排氣口處，檢測從所述工藝腔排出的二氟化氙氣體的濃度；
終點控制裝置，與所述氣體濃度檢測裝置相連，所述終點控制裝置根據所述氣體濃度檢測裝置的檢測結果計算從所述工藝腔排出的二氟化氙氣體的濃度，并將該濃度與預設濃度值比較，若排出的二氟化氙氣體的濃度等于或高于90％時，所述終點控制裝置產生并發送控制信號；及
進氣控制裝置，與所述工藝腔的進氣口相連，并通過所述工藝腔的進氣口向所述工藝腔通入恒定量的二氟化氙氣體，所述進氣控制裝置接收所述終點控制裝置發送的控制信號后停止向所述工藝腔通入二氟化氙氣體。
2.根據權利要求1所述的終點檢測裝置，其特征在于：所述終點控制裝置計算從所述工藝腔排出的二氟化氙氣體的濃度等于或高于所述預設濃度值時，所述終點控制裝置啟動過刻蝕計時，過刻蝕完成后，所述終點控制裝置產生所述控制信號。
3.根據權利要求1所述的終點檢測裝置，其特征在于：所述氣體濃度檢測裝置選自下列裝置之一：發光光譜儀、吸收光譜儀、離子質譜儀和X射線能譜儀。
4.根據權利要求1所述的終點檢測裝置，其特征在于：所述工藝腔的排氣口處設置有排氣管，所述氣體濃度檢測裝置設置在所述排氣管的管口處。
5.根據權利要求4所述的終點檢測裝置，其特征在于：所述排氣管上安裝有加熱裝置，用于對所述排氣管中的二氟化氙氣體加熱。
6.根據權利要求5所述的終點檢測裝置，其特征在于：所述排氣管外壁包裹有保溫材料。
7.一種終點檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：
將待刻蝕的加工件放入工藝腔；
向所述工藝腔通入恒定量的二氟化氙氣體；
檢測從所述工藝腔排出的二氟化氙氣體的濃度，并將該濃度與預設濃度值比較，若排出的二氟化氙氣體的濃度等于或高于90％時，則判定二氟化氙氣相刻蝕工藝已到終點并停止向所述工藝腔通入二氟化氙氣體。
8.根據權利要求7所述的終點檢測方法，其特征在于：判定二氟化氙氣相刻蝕工藝已到終點時，啟動過刻蝕計時，過刻蝕完成后，停止向所述工藝腔通入二氟化氙氣體。
9.根據權利要求7所述的終點檢測方法，其特征在于：所述加工件上待刻蝕的材料為選自下列材料中的一種或幾種：硅、鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鎢、釕。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
