[發(fā)明專利]一種氮化鎵系高壓發(fā)光二極管及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210290019.5
• 申請(qǐng)日: 2012-08-15
• 公開（公告）號(hào): CN102769023A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮文泉;武樂(lè)可;鐘偉榮;熊威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海藍(lán)寶光電材料有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 上海三和萬(wàn)國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31230
• 代理人: 張民華

1.?一種氮化鎵系高壓發(fā)光二極管，包括有發(fā)光單元（100），該發(fā)光單元（100）形成于同一襯底（200）上，發(fā)光單元（100）之間由絕緣溝道（300）隔開，各發(fā)光單元（100）通過(guò)金屬連接線（400）串聯(lián)或并聯(lián)，其特征在于，所述絕緣溝道（300）中具有填充層（310），所述金屬連接線（400）位于該填充層（310）上。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化鎵系高壓發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光單元（100）包括有至少一層N型氮化鎵半導(dǎo)體層（110）和一層P型氮化鎵半導(dǎo)體層（120），N型氮化鎵半導(dǎo)體層（110）和P型氮化鎵半導(dǎo)體層（120）疊合在一起，P型氮化鎵半導(dǎo)體層（120）上具有透明導(dǎo)電膜（121）和正電極（122），N型氮化鎵半導(dǎo)體層（110）上具有負(fù)電極（111）。

3.?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化鎵系高壓發(fā)光二極管，其特征在于，所述填充層（310）由絕緣耐熱材料以旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成。

4.?一種氮化鎵系高壓發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，包括有以下步驟：

1）在襯底上成長(zhǎng)發(fā)光外延層；

2）用絕緣耐熱材料在發(fā)光外延層上形成回蝕阻擋層；

3）在回蝕阻擋層及發(fā)光外延層中刻蝕形成絕緣溝道，該絕緣溝道延伸至襯底處，將發(fā)光外延層分割成獨(dú)立塊；

4）將一層非光敏型材料涂布于回蝕阻擋層外表面，并填充絕緣溝道，形成絕緣耐熱的填充層；

5）去除填充層位于回蝕阻擋層外表面的部分，并保留其位于絕緣溝道中的部分；

6）將回蝕阻擋層去除；

7）將發(fā)光外延層分割成的獨(dú)立塊分別形成發(fā)光單元；

8）完成各發(fā)光單元金屬內(nèi)連線。

5.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種氮化鎵系高壓發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，步驟1）中，發(fā)光外延層由N型氮化鎵半導(dǎo)體層和P型氮化鎵半導(dǎo)體層組成。

6.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種氮化鎵系高壓發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，步驟2）中，絕緣耐熱材料以物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積的方式在發(fā)光外延層上形成回蝕阻擋層。