[發(fā)明專利]一種六晶體管靜態(tài)隨機存儲器單元及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210289657.5
• 申請日: 2012-08-15
• 公開（公告）號: CN102779837A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發(fā)明（設計）人: 陳靜;伍青青;羅杰馨;柴展;余濤;王曦
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L27/11;H01L21/8244;G11C11/413
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種六晶體管靜態(tài)隨機存儲器單元，其特征在于，所述存儲器單元至少包括：

第一反相器，由第一PMOS晶體管及第一NMOS晶體管組成；

第二反相器，由第二PMOS晶體管及第二NMOS晶體管組成；

傳輸門，由第三NMOS晶體管及第四NMOS晶體管組成；

其中，所述第三NMOS晶體管的源極同時連接所述第一反相器的輸出端及所述第二反相器的輸入端，柵極連接存儲器的字線，漏極連接存儲器的位線；

所述第四NMOS晶體管的源極同時連接所述第一反相器的輸入端及所述第二反相器

的輸出端，柵極連接存儲器的字線，漏極連接存儲器的位線非；

所述第三NMOS晶體管及第四NMOS晶體管的源極結(jié)構(gòu)具有袋區(qū)和淺摻雜延伸區(qū)，漏極結(jié)構(gòu)沒有袋區(qū)和淺摻雜延伸區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的六晶體管靜態(tài)隨機存儲器單元，其特征在于：在相同的電壓下，所述第三NMOS晶體管及第四NMOS晶體管從漏極往源極流出的電流小于從源極往漏極流出的電流。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的六晶體管靜態(tài)隨機存儲器單元，其特征在于：所述第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管均為源漏結(jié)構(gòu)對稱的晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的六晶體管靜態(tài)隨機存儲器單元，其特征在于：所述六晶體管靜態(tài)隨機存儲器單元的制作襯底為體硅襯底或者絕緣體上硅襯底。

5.一種六晶體管靜態(tài)隨機存儲器單元的制作方法，其特征在于：所述制作方法至少包括以下步驟：

1）提供一半導體襯底，并在所述半導體襯底中定義出有源區(qū)，于所述有源區(qū)四周形成淺溝道隔離槽；

2）依據(jù)有源區(qū)的位置采用離子注入工藝于所述半導體襯底中形成N型阱注入?yún)^(qū)，并在所述N型阱注入?yún)^(qū)兩側(cè)分別形成第一P型阱注入?yún)^(qū)及第二P型阱注入?yún)^(qū)；

3）于所述第一P型阱注入?yún)^(qū)內(nèi)制作第一NMOS晶體管及第三NMOS晶體管，于所述N型阱注入?yún)^(qū)內(nèi)制作第一PMOS晶體管及第二PMOS晶體管，于所述第二P型阱注入?yún)^(qū)內(nèi)制作第二NMOS晶體管及第四NMOS晶體管，其中，所述第一、第二NMOS晶體管、第一、第二PMOS晶體管的源漏極結(jié)構(gòu)均具有袋區(qū)及淺摻雜延伸區(qū)，所述第三、第四NMOS晶體管的源極結(jié)構(gòu)具有袋區(qū)及淺摻雜延伸區(qū)，漏極結(jié)構(gòu)不具有袋區(qū)及淺摻雜延伸區(qū)；

4）制作金屬連線，以完成所述存儲單元的制作。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的六晶體管靜態(tài)隨機存儲器單元的制作方法，其特征在于：所述步驟3）包括步驟：

3-1）形成橫跨所述第一P型阱注入?yún)^(qū)及N型阱注入?yún)^(qū)的第一柵極、以及橫跨所述N型阱注入?yún)^(qū)及第二P型阱注入?yún)^(qū)的第二柵極，并于所述第一P型阱注入?yún)^(qū)及第二P型阱注入?yún)^(qū)的預設位置形成第三柵極及第四柵極；

3-2）制作掩膜版并進行第一次離子注入，形成第一、第二NMOS晶體管、第一、第二PMOS晶體管源漏極結(jié)構(gòu)的袋區(qū)及淺摻雜延伸區(qū)，并形成第三、第四NMOS晶體管的源極結(jié)構(gòu)的袋區(qū)及淺摻雜延伸區(qū)；

3-3）分別于所述第一、第二、第三、第四柵極形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)，然后采用自對準工藝形成第一、第二、第三、第四NMOS晶體管及第一、第二PMOS晶體管的源極及漏極，其中，所述第一NMOS晶體管及所述第一PMOS晶體管共用第一柵極，所述第二NMOS晶體管及所述第二PMOS晶體管共用第二柵極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的六晶體管靜態(tài)隨機存儲器單元的制作方法，其特征在于：所述第一NMOS晶體管的漏極與所述第三NMOS晶體管的源極共用，所述第二NMOS晶體管的漏極與所述第四NMOS晶體管的源極共用。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的六晶體管靜態(tài)隨機存儲器單元的制作方法，其特征在于：所述步驟4）中，所述第一NMOS晶體管與所述第一PMOS晶體管互連形成第一反相器，所述第二NMOS晶體管與所述第二PMOS晶體管互連形成第二反相器，所述第三NMOS晶體管的源極同時連接所述第一反相器的輸出端及所述第二反相器的輸入端，柵極連接存儲器的字線，漏極連接存儲器的位線，所述第四NMOS晶體管的源極同時連接所述第一反相器的輸入端及所述第二反相器的輸出端，柵極連接存儲器的字線，漏極連接存儲器的位線非。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的六晶體管靜態(tài)隨機存儲器單元的制作方法，其特征在于：所述半導體襯底為體硅襯底或絕緣體上硅襯底。