[發(fā)明專利]軟X射線遮光膜及其制備方法有效

申請?zhí)枺?/td>	201210289501.7	申請日：	2012-08-14
公開（公告）號：	CN102779558A	公開（公告）日：	2012-11-14
發(fā)明（設計）人：	陳田祥;胡渭;孫慶榮;陳勇;李曉軍	申請（專利權）人：	中國科學院高能物理研究所
主分類號：	G21F1/12	分類號：	G21F1/12;G21F1/00
代理公司：	隆天國際知識產(chǎn)權代理有限公司 72003	代理人：	馮志云;鄭特強
地址：	100049 北***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	射線遮光及其制備方法
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【權利要求書】：

1.一種軟X射線遮光膜，其特征在于，包括高分子材料薄膜、支撐網(wǎng)及鋁層，其中，所述支撐網(wǎng)設置于所述高分子材料薄膜上，所述鋁層包覆在所述高分子材料薄膜及支撐網(wǎng)表面上。

2.如權利要求1所述的軟X射線遮光膜，其特征在于，所述高分子材料薄膜為聚酰亞胺薄膜，所述支撐網(wǎng)為鎳網(wǎng)。

3.如權利要求2所述的軟X射線遮光膜，其特征在于，所述聚酰亞胺薄膜厚度為500納米，所述鎳網(wǎng)厚度為500微米以下，所述鋁層厚度為100-500納米。

4.一種制備如權利要求1至3所述的軟X射線遮光膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：

A．制備聚酰亞胺薄膜；

B．利用微電鑄方法在所述聚酰亞胺薄膜上制備鎳網(wǎng)；

C．在附有所述鎳網(wǎng)的聚酰亞胺薄膜上蒸鍍鋁層。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，制備聚酰亞胺薄膜包括以下步驟：

a．利用二酐與二胺在非質子極性溶劑中制備聚酰胺酸溶液；

b．提供一基板，旋涂所述聚酰胺酸溶液于所述基板上形成聚酰胺酸薄膜；

c．將所述聚酰胺酸薄膜高溫環(huán)化為聚酰亞胺薄膜；

其中，所述二胺包含4，4’-二氨基二苯醚、對苯二胺、4,4’-二氨基二苯砜及其混合物中的一種；二酐包含均苯四酸二酐、3，3’，4,4’-聯(lián)苯四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐以及混合物中的一種；所述非質子極性溶劑包含N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺或N-甲基-2-吡咯烷酮；所述基片包括硅片、石英片或玻璃片；所述高溫環(huán)化的溫度為350-400℃，時間為4小時。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，在將所述聚酰胺酸薄膜高溫環(huán)化為聚酰亞胺薄膜前，先在80℃條件下烘20分鐘，以烘干大部分溶劑。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，利用微電鑄方法在所述聚酰亞胺薄膜上制備鎳網(wǎng)包括以下步驟：

d.在所述聚酰亞胺薄膜上涂覆厚度第一光刻膠層，所述第一光刻膠層與所述鎳網(wǎng)圖案互補；

e．在所述聚酰亞胺薄膜及第一光刻膠層表面上鍍導電種子層；

f．去除所述第一光刻膠層及覆蓋在所述第一光刻膠層表面上的導電種子層，所述導電種子層與所述鎳網(wǎng)圖案一致；

g．在所述聚酰亞胺薄膜及所述導電種子層上涂覆第二光刻膠層；

h．去除導電種子層上的第二光刻膠層；

i．在裸露的導電種子層上進行微電鑄鎳網(wǎng)，所述鎳網(wǎng)厚度不超過第二光刻膠層；

j．去除所述聚酰亞胺薄膜上殘留的第二光刻膠層；

k．去除所述基板。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一光刻膠層包括AZ4620，厚度為3-10微米，所述第二光刻膠層包括SU8-2000系列光刻膠、用X光源對應的PMMA、KMPR和AZ50XT系列光刻膠，厚度為500微米以下，所述導電種子層包括Cr/Cu，Cr/Au，Ti/Cu或Ti/Au。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述e步驟的工藝包括真空熱蒸鍍、電子束蒸鍍和磁控濺射方法。