[發明專利]用于化學機械拋光鎢的方法

有效

• 申請號: 201210289371.7
• 申請日: 2012-08-14
• 公開（公告）號: CN103042464A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 郭毅;李在錫;R·L·小拉沃;張廣云
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;C09G1/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 項丹

1.一種用來對基材進行化學機械拋光的方法，該方法包括：

提供基材，其中所述基材包含鎢；

提供化學機械拋光漿組合物，其包含如下組分作為初始組分：

水；

0.1至5重量％的磨料；

式（I）所示的0.005至0.1重量％的雙季化合物：

其中每一個A獨立地選自N和P；其中R¹選自：飽和或不飽和C₁-C₁₅烷基基團、C₆-C₁₅芳基基團以及C₆-C₁₅芳烷基基團；其中R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶以及R⁷每一個獨立地選自：氫、飽和或不飽和C₁-C₁₅烷基基團、C₆-C₁₅芳基基團以及C₆-C₁₅芳烷基基團以及C₆-C₁₅烷芳基基團；以及，式（I）中的陰離子可以是任意陰離子或者平衡了式（I）中陽離子的2+電荷的陰離子的組合；

0.001至10重量％的鄰苯二甲酸、鄰苯二甲酸酐、鄰苯二甲酸鹽/酯化合物以及鄰苯二甲酸衍生物中的至少一種；以及

0.001至10重量％的碘酸鉀；

其中所述化學機械拋光組合物的pH為1至4；其中所述化學機械拋光組合物的鎢靜態蝕刻速率/分鐘和鎢去除速率/分鐘；其中所述化學機械拋光組合物含<0.001重量％的過氧化氧化劑；以及，所述化學機械拋光組合物含<0.005重量％的腐蝕抑制劑；

提供具有拋光表面的化學機械拋光墊；

以0.69至34.5kPa的向下作用力在化學機械拋光墊的拋光表面和基材之間的界面處建立動態接觸；以及

在所述化學機械拋光墊和基材之間的界面處或界面附近，將所述化學機械拋光漿組合物分配到所述化學機械拋光墊上；

其中，所述基材是拋光的；且從基材上除去一些鎢。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述化學機械拋光組合物顯示的鎢去除速率/分鐘。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基材還包含原硅酸四乙酯；其中從所述基材去除了至少一些原硅酸四乙酯；并且，所述化學機械拋光組合物顯示出鎢去除速率/原硅酸四乙酯去除速率選擇性為5∶1至1∶5。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基材還包含Si₃N₄；其中從所述基材去除了至少一些Si₃N₄；并且，所述化學機械拋光組合物顯示出鎢去除速率/Si₃N₄去除速率選擇性為2∶1至1∶2。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述化學機械拋光漿組合物包含以下組分作為初始組分：

水；

1.5至3.5重量％的磨料，其中，所述磨料是平均粒徑為10至100nm的膠態二氧化硅磨料；

0.01至0.1重量％的雙季化合物；其中每一個A是N；其中R¹是-(CH₂)₄-基團；其中R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶以及R⁷每一個是-(CH₂)₃CH₃基團；

0.01至1重量％的鄰苯二甲酸氫銨；以及，

0.01至1重量％的碘酸鉀；以及

其中所述化學機械拋光組合物的pH為2至3。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述化學機械拋光組合物通過以下方式促進了鈦去除速率/分鐘：板速133轉每分鐘，支架轉速111轉每分鐘，化學機械拋光組合物的流速200ml/分鐘，以及使用包含聚氨酯浸漬的非機織拋光墊的化學機械拋光墊在200mm的拋光機上施加13.8kPa的標稱向下作用力。