[發明專利]硅片的背面圖形化的工藝方法

有效

• 申請號: 201210289292.6
• 申請日: 2012-08-14
• 公開（公告）號: CN103050480A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 王雷;郭曉波
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種硅片的背面圖形化的工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、提供一硅片，在所述硅片的正面完成所有正面圖形化工藝，所述正面圖形化工藝包括器件正面部分的形成工藝以及器件正面互聯工藝；

步驟二、在完成所有所述正面圖形化工藝的所述硅片的正面沉積保護層；

步驟三、形成所述保護層后，采用光刻刻蝕工藝在所述硅片正面形成深溝槽，所述深溝槽穿過所述保護層進入到所述硅片的本體中，所述深溝槽在所述硅片的本體中的深度大于器件所需的硅片厚度，所述器件所需的硅片厚度為所述器件正面部分加上后續形成的器件背面部分的厚度；所述深溝槽定義出背面圖形的對準標記；

步驟四、將所述硅片反轉，用所述硅片的正面和一載片進行鍵合，鍵合后，使所述硅片的背面向上；

步驟五、對所述硅片的背面進行研磨，研磨后所述硅片的本體的厚度為所述器件所需的硅片厚度，所述對準標記從研磨后的所述硅片的背面露出；

步驟六、用所述對準標記進行對準，在所述硅片的背面進行背面圖形化工藝，所述背面圖形化工藝包括所述器件背面部分的形成工藝，所述器件背面部分和所述器件正面部分通過所述對準標記進行對準并組成完整的器件；

步驟七、進行解鍵合工藝將形成有完整的器件的所述硅片和所述載片解離。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟四中所述載片的材質為玻璃，陶瓷，藍寶石。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟五中的所述研磨工藝采用Taiko研磨工藝，采用Taiko研磨工藝后，在所述硅片的邊緣部分形成一厚度大于所述硅片中間區域的支撐環，所述硅片中間區域的本體的厚度為所述器件所需的硅片厚度。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于：在步驟七的所述解鍵合工藝之后還包括所述支撐環的去除步驟。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟二中所述保護層的厚度為所述保護層12的材料為SiO₂，SiN，SiON，SiO₂和SiN組成的多層膜，SiO₂和SiN和SiON組成的多層膜，或其它Si，O，C，N的化合物。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于：所述保護層的厚度為1μm～10μm。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟三中形成的所述深溝槽中不填充材料，直接以中空結構的所述深溝槽作為所述對準標記。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟三中在形成所述深溝槽之后，緊接著在用介質材料完成填充所述深溝槽，由填充有介質材料的所述深溝槽作為所述對準標記；所述介質材料為Si，O，N，C組合形成的無機非金屬化合物。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于：所述介質材料為SiN，SiON，SiO₂。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟三中在形成所述深溝槽之后，緊接著在用金屬材料完成填充所述深溝槽，由填充有金屬材料的所述深溝槽作為所述對準標記；所述金屬材料為Al，Cu，W。

11.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：步驟七的所述解鍵合工藝的方法包括激光照射，化學溶解，熱分解。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟六中所述背面圖形化工藝的工藝條件和其它產品的所述正面圖形化工藝的工藝條件相同的部份能夠實現兼容，使所述背面圖形化工藝和對應使用相同的工藝條件的其它產品的所述正面圖形化工藝同時采用相同的設備和工藝條件進行生產。