[發明專利]一種用于圓片級封裝應力測量的應力傳感器轉移方法

無效

• 申請號: 201210288541.X
• 申請日: 2012-08-14
• 公開（公告）號: CN102800606A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 楊恒;豆傳國;吳燕紅;李昕欣;王躍林
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 宋纓;孫健

1.一種用于圓片級封裝應力測量的應力傳感器轉移方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）SOI硅片的頂層硅上制作應力傳感器；

（2）利用有機膠膜將應力傳感器面對面地貼裝到與待封裝圓片相同尺寸的測試圓片上；

（3）腐蝕去除應力傳感器襯底硅，將應力傳感器芯片單元轉移到測試圓片上。

2.根據權利要求1所述的用于圓片級封裝應力測量的應力傳感器轉移方法，其特征在于，所述步驟（1）還包括以下子步驟：

（11）通過反應離子刻蝕技術在頂層硅刻蝕，并在頂層硅上制成應力傳感單元；

（12）通過光刻腐蝕工藝在埋層二氧化硅上制作出引線窗口；

（13）通過濺射的方式沉積一層薄膜層并采用光刻加工工藝和腐蝕技術形成金屬引線。

3.根據權利要求1所述的用于圓片級封裝應力測量的應力傳感器轉移方法，其特征在于，所述步驟（2）中有機膠膜采用機械旋轉涂膠或者干膜貼合的方法制作在應力傳感器硅片上，所述有機膠膜的厚度小于10微米。

4.根據權利要求1所述的用于圓片級封裝應力測量的應力傳感器轉移方法，其特征在于，所述步驟（2）中應力傳感器芯片采用芯片到圓片鍵合的方法面對面地貼裝到與待封裝圓片相同尺寸的測試圓片上。

5.根據權利要求2所述的用于圓片級封裝應力測量的應力傳感器轉移方法，其特征在于，所述步驟（3）中采用干法腐蝕工藝去除應力傳感器的襯底硅，其中，對集成電路鈍化層和金屬層的腐蝕速率遠低于對硅的腐蝕速率。

6.根據權利要求3所述的用于圓片級封裝應力測量的應力傳感器轉移方法，其特征在于，所述有機膠膜為BCB膠膜、聚酰亞胺膠膜、PerMX干膜。