[發明專利]制造鑲嵌式自對準鐵電隨機存取存儲器設備結構的方法

有效

• 申請號: 201210287692.3
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN102956566A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 孫山;托馬斯·E.·達文波特;約翰·克羅寧
• 申請（專利權）人: 瑞創國際公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種在基片上形成集成電路的方法，包括：

在所述基片上形成第一絕緣層，

移除所述第一絕緣層的一部分以在其中形成至所述基片的暴露表面的開口；

在所述開口的側壁上形成多個第一隔離層；

在所述基片的所述暴露表面上形成第一導電層，該第一導電層與所述開口的所述側壁上的所述第一隔離層被它們之間的間隔分開；

在所述第一導電層上方和所述第一導電層的側向的所述間隔中形成鐵電電容器的下電極；

與所述開口中的所述隔離層相鄰地形成第二絕緣層；

在所述開口中的所述第二絕緣層上形成多個第二隔離層；

在所述第二隔離層之間的所述下電極上形成鐵電介電層；

在所述鐵電電介質上形成上電極；

穿過部分所述第二絕緣層形成至所述下電極的下電極接觸開口，并且

形成所述上電極的第一電觸點，并通過所述下電極接觸開口形成所述下電極的第二電觸點。

2.權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述基片中提供至少一個接觸柱，延伸到所述開口中的所述基片的所述暴露表面。

3.權利要求1所述的方法，其中在所述開口的所述側壁上形成第一隔離層的所述步驟包括：

在所述第一絕緣層上方沉積第一隔離層材料；并且

移除除了在所述開口的所述側壁之外的所述第一隔離層材料。

4.權利要求3所述的方法，其中所述第一隔離層材料包括Al₂O₃。

5.權利要求3所述的方法，其中所述沉積步驟是通過化學氣相沉積執行的。

6.權利要求1所述的方法，其中形成所述第一導電層的所述步驟包括：

在所述第一絕緣層和所述第一隔離層上方沉積第一導電層材料；并且

移除除了在通過所述間隔而與所述第一隔離層分隔開的所述基片的所述暴露表面上的第一導電層材料之外的第一導電層材料。

7.權利要求6所述的方法，其中所述第一導電層材料包括Ti_1-xAl_xN。

8.權利要求6所述的方法，其中所述沉積步驟是通過化學氣相沉積執行的。

9.權利要求1所述的方法，其中形成所述下電極的所述步驟包括：

在所述第一絕緣層、所述第一隔離層的上方和所述開口中的所述第一導電層的側向的所述間隔中沉積下電極材料；并且

移除除了所述下電極上方和所述間隔中的下電極材料之外的下電極材料。

10.權利要求9所述的方法，其中所述下電極材料包括Pt。

11.權利要求9所述的方法，其中所述沉積步驟包括化學氣相沉積。

12.權利要求1所述的方法，其中形成所述第二絕緣層的步驟包括：

在所述第一絕緣層、所述第一隔離層和所述下電極上方沉積氧化物；以及

移除除了與所述第一隔離層相鄰的氧化物之外的氧化物。

13.權利要求1所述的方法，其中形成所述第二隔離層的步驟包括：

在所述第一和第二絕緣層以及所述下電極的上方沉積第二隔離層材料；以及

移除除了與在所述開口中的所述第二絕緣層相鄰的第二隔離層材料之外的第二隔離層材料，。

14.權利要求13所述的方法，其中所述第二隔離層材料包括Al₂O₃。

15.權利要求13所述的方法，其中所述沉積步驟包括化學氣相沉積。

16.權利要求1所述的方法，其中形成所述鐵電電介質的步驟包括：

在所述下電極上方沉積所述鐵電介電材料；以及

退火所述鐵電介電材料。

17.權利要求16所述的方法，其中所述沉積步驟是通過沉積PZT、PLZT、BST、SBT、STO或其他鐵電介電材料之一而執行的。

18.權利要求1所述的方法，其中形成所述上電極的步驟包括：

在所述鐵電電介質上方沉積上電極材料。