[發(fā)明專利]絕緣體上鍺硅的形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210287340.8
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN103594411A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設計）人: 陳勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一襯底和第二襯底，所述第一襯底上形成有絕緣層，所述第二襯底上形成有鍺硅層；

結合所述絕緣層和所述鍺硅層，使所述第一襯底和所述第二襯底結合成一體結構；

去除所述第二襯底；

去除所述第二襯底后，采用對所述第二襯底和所述鍺硅層具有高刻蝕選擇比的清洗劑，對所述鍺硅層的表面進行清洗，去除所述鍺硅層表面的第二襯底殘留物。

2.如權利要求1所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，對所述鍺硅層的表面進行清洗的工藝為濕法刻蝕工藝，所述濕法刻蝕工藝采用的刻蝕劑為氨水或四甲基氫氧化銨溶液，所述濕法刻蝕工藝的溫度為20℃至90℃。

3.如權利要求1所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，去除所述第二襯底的方法為離子切割工藝。

4.如權利要求3所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，所述離子切割工藝包括：在結合所述絕緣層和所述鍺硅層之前，對所述第二襯底進行氫離子摻雜，在所述第二襯底靠近所述鍺硅層一側形成氫離子摻雜層；在結合所述絕緣層和所述鍺硅層之后，進行第一熱處理，所述第一熱處理在不與第一襯底和第二襯底反應的氣氛中進行，使所述第二襯底和所述鍺硅層分離；接著，移除第二襯底。

5.如權利要求4所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，所述第一熱處理的溫度為300℃至500℃。

6.如權利要求4所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，所述第一熱處理的氣氛為氮氣或氦氣。

7.如權利要求1所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，去除所述第二襯底的方法為化學機械研磨工藝。

8.如權利要求1所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，在結合所述鍺硅層和絕緣層之前，還包括：在所述鍺硅層上外延生長形成硅材料層。

9.如權利要求1所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，在去除所述第二襯底之后、對所述鍺硅層的表面進行清洗之前，還包括：對所述結合后的第一襯底、鍺硅層和絕緣層進行第二熱處理，所述第二熱處理用于加強所述鍺硅層和所述絕緣層之間的結合強度，且所述第二熱處理的氣氛為氧化性氣體。

10.如權利要求9所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，所述第二熱處理的溫度為600℃至1100℃。

11.如權利要求9所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，所述氧化性氣體為氮氣。

12.如權利要求1所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，結合所述絕緣層和所述鍺硅層的工藝為粘合工藝。

13.如權利要求12所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，所述粘合工藝的溫度為80℃至200℃，施加的壓力為0.1至10N/cm²，保壓時間為2至8小時。

14.如權利要求1所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，所述鍺硅層的形成方法為外延生長工藝。

15.如權利要求1所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，所述鍺硅層中鍺的摩爾百分比含量為大于或等于30%。

16.如權利要求1所述的絕緣體上鍺硅的形成方法，其特征在于，所述絕緣層的形成方法包括：在所述第一襯底上沉積絕緣層，或者是熱氧化所述第一襯底以形成絕緣層。