[發明專利]金屬鋁硅銅濺射工藝方法有效
| 申請號： | 201210287156.3 | 申請日： | 2012-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN103632931B | 公開（公告）日： | 2016-11-02 |
| 發明（設計）人： | 劉善善;費強;李曉遠 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/203 | 分類號： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 鋁硅銅 濺射 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬鋁硅銅濺射工藝方法，其特征在于，包括：
步驟1：成膜腔內成膜，其中所述成膜腔的溫度為400±100攝氏度；
步驟2：高溫腔內恒溫放置30-60秒，其中所述恒溫腔內溫度為500±50攝氏度；
步驟3：冷卻腔中在10-30秒的時間內快速降溫至200攝氏度以下。
2.如權利要求1所述的金屬鋁硅銅濺射工藝方法，其特征在于：步驟1中所述的成膜腔內成膜，其所成薄膜厚度范圍為1-10微米。
3.如權利要求2所述的金屬鋁硅銅濺射工藝方法，其特征在于：步驟1中所述的成膜鋁硅銅薄膜，其所成薄膜中硅含量為1±0.1％，銅含量為0.5±0.07％。
4.如權利要求1所述的金屬鋁硅銅濺射工藝方法，其特征在于：步驟3中所述的快速降溫，其降溫方式為通氣降溫。
5.如權利要求1所述的金屬鋁硅銅濺射工藝方法，其特征在于：步驟3中所述的快速降溫，其降溫方式為加壓降溫。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
