[發明專利]芯片

有效

• 申請號: 201210286703.6
• 申請日: 2006-09-28
• 公開（公告）號: CN102800348A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 宋鎬旭;李宗沅
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張貴東

1.一種芯片，包括：

多個存儲器核心區塊；以及

用于外圍電路的電壓發生器，該電壓發生器包括：

單個電壓供給器，包括在該芯片上，配置為在輸出供給具有維持于參考電壓電位的電壓電位的外圍電路電壓，該單個電壓供給器包括單個反相器，其輸入連接到驅動信號；以及

多個電壓電位補償器，配置為響應于行路徑命令而增加該外圍電路電壓的該電壓電位，其中該多個電壓電位補償器并聯連接到該單個電壓供給器輸出，

其中，該多個電壓電位補償器的每個包括以外部電源電壓來驅動連接至該外圍電路電壓的端子的驅動單元、以及響應于該行路徑命令及深電源切斷模式信號而產生驅動控制信號以控制該驅動單元的控制單元，

其中，該多個電壓電位補償器在讀取或寫入操作期間增加該外圍電路的電壓電位，以及

其中，該增加的外圍電路電壓被該外圍電路的讀取和寫入操作使用。

2.如權利要求1的芯片，其中該多個電壓電位補償器在該行路徑命令啟用時以該外部電源電壓來驅動該外圍電路電壓的端子，并且在該深電源切斷模式信號啟用時停止提供該外部電源電壓。

3.如權利要求2的芯片，其中該控制單元包括：

反相器，其使該深電源切斷模式信號反相；以及

邏輯門，其接收該行路徑命令及該反相器的輸出信號，并輸出該驅動控制信號。

4.如權利要求3的芯片，其中該驅動單元包括P溝道金屬氧化物半導體PMOS晶體管，該PMOS晶體管經由其柵極而接收該驅動控制信號，并耦接于連接至該外部電源電壓的端子與連接至該外圍電路電壓的該端子之間。

5.如權利要求4的芯片，其中當提供讀取命令及寫入命令中之一時啟用該行路徑命令。

6.如權利要求5的芯片，其中該多個電壓電位補償器的每個安置在該外圍電路的分開的區域中，并且該電壓供給器安置在該外圍電路的單個區域中。