[發明專利]薄膜器件

在審

• 申請號: 201210286625.X
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN102956681A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 竹知和重
• 申請（專利權）人: NLT科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/786
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種薄膜器件，包括在襯底上的柵電極，在所述柵電極上的柵極絕緣膜，在所述柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜以及在所述氧化物半導體膜上的源/漏電極，其中

包含至少氟或氯的表面層存在于所述氧化物半導體膜的沒有與所述源/漏電極重疊的部分中。

2.根據權利要求1所述的薄膜器件，其中

所述表面層包含所述氧化物半導體膜的組成元素、所述源/漏電極的與所述氧化物半導體膜接觸的部分的組成元素以及至少氟或氯。

3.根據權利要求1所述的薄膜器件，其中

混合層存在于在所述氧化物半導體膜和所述源/漏電極之間的界面中，所述混合層包含所述氧化物半導體膜的組成元素以及所述源/漏電極的與所述氧化物半導體膜接觸的部分的組成元素的混合物。

4.根據權利要求1所述的薄膜器件，進一步包括在所述表面層上的溝道保護絕緣膜，其中

所述表面層也存在于所述氧化物半導體膜的與所述源/漏電極重疊的部分中。

5.根據權利要求4所述的薄膜器件，其中

混合層存在于所述氧化物半導體膜和所述源/漏電極之間的界面中，所述混合層由所述氧化物半導體膜的組成元素、所述源/漏電極的與所述氧化物半導體膜接觸的部分的組成元素以及至少氟或氯的混合物構成。

6.一種薄膜器件，包括在襯底上的柵電極，在所述柵電極上的柵極絕緣膜，在所述柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜以及在所述氧化物半導體膜上的源/漏電極，其中

混合層存在于在所述氧化物半導體膜和所述源/漏電極之間的界面中，所述混合層包含所述氧化物半導體膜的組成元素以及所述源/漏電極的與所述氧化物半導體膜接觸的部分的組成元素的混合物；以及

所述混合層的組成元素的原子的數量從所述源/漏電極側向所述氧化物半導體膜側變化。

7.根據權利要求1所述的薄膜器件，其中

所述氧化物半導體膜包含至少銦或鋅。

8.根據權利要求1所述的薄膜器件，其中

其中所述表面層的氟原子的數量或氯原子的數量的比例在0.1％和73％之間，包括0.1％和73％。

9.根據權利要求1所述的薄膜器件，其中

其中所述源/漏電極的與所述氧化物半導體膜接觸的部分至少包含鈦或鉬。

10.根據權利要求3所述的薄膜器件，其中：

所述表面層包含銦、鎵、鋅、氧、鈦以及至少氟或氯；以及

所述混合層包含銦、鎵、鋅、氧和鈦。

11.根據權利要求5所述的薄膜器件，其中：

所述表面層包含銦、鎵、鋅、氧以及至少氟或氯；以及

所述混合層包含銦、鎵、鋅、氧、鈦以及至少氟或氯。

12.根據權利要求3所述的薄膜器件，其中：

所述表面層包含銦、鎵、鋅、氧、鉬以及至少氟或氯；以及

所述混合層包含銦、鎵、鋅、氧和鉬。

13.根據權利要求5所述的薄膜器件，其中：

所述表面層包含銦、鎵、鋅、氧以及至少氟或氯；以及

所述混合層包含銦、鎵、鋅、氧、鉬以及至少氟或氯。

14.根據權利要求6所述的薄膜器件，其中：

所述混合層包含銦、鎵、鋅、氧和鈦；以及

所述混合層的鈦原子的數量從所述源/漏電極側向所述氧化物半導體膜側降低，并且所述混合層的銦或鋅原子的數量從所述源/漏電極側向所述氧化物半導體膜側增加。

15.根據權利要求6所述的薄膜器件，其中：

所述混合層包含銦、鎵、鋅、氧和鉬；以及

所述混合層的鉬原子的數量從所述源/漏電極側向所述氧化物半導體膜側降低，并且所述混合層的銦或鋅原子的數量從所述源/漏電極側向所述氧化物半導體膜側增加。