[發明專利]晶閘管及晶閘管封裝件

無效

• 申請號: 201210286393.8
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN103594490A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 黃勤
• 申請（專利權）人: 無錫維賽半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/744;H03K17/56
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種PNPN型晶閘管，其特征在于，所PNPN型晶閘管至少包括：

由P型、N型、P型及N型半導體層構成的層疊結構，其中，在與作為陰極的N型半導體層接觸的P型半導體層中相對于該作為陰極的N型半導體層的區域具有第一開口。

2.根據權利要求1所述的PNPN型晶閘管，其特征在于：所述第一開口正對于作為陰極的N型半導體層。

3.一種NPNP型晶閘管，其特征在于，所NPNP型晶閘管至少包括：

由N型、P型、N型及P型半導體層構成的層疊結構，其中，在與作為陽極的P型半導體層接觸的N型半導體層中相對于該作為陽極的P型半導體層的區域具有第二開口。

4.根據權利要求3所述的NPNP型晶閘管，其特征在于：所述第二開口正對于作為陽極的P型半導體層。

5.一種無需驅動電流的晶閘管，其特征在于，所述無需驅動電流的晶閘管至少包括：

晶閘管本體及受控開關單元；其中，當所述晶閘管本體為PNPN型時，所述受控開關單元連接所述PNPN型的晶閘管本體的門極及陰極；當所述晶閘管本體為NPNP型時，所述受控開關單元連接所述NPNP型的晶閘管本體的門極及陽極。

6.根據權利要求5所述的無需驅動電流的晶閘管，其特征在于：所述晶閘管本體包括：權利要求1至4中任一項所述的晶閘管。

7.根據權利要求5或6所述的無需驅動電流的晶閘管，其特征在于：所述受控開關單元包括作為受控開關的第一晶體管。

8.根據權利要求7所述的無需驅動電流的晶閘管，其特征在于：所述第一晶體管包括多個并聯的子晶體管。

9.根據權利要求5或6所述的無需驅動電流的晶閘管，其特征在于：所述受控開關單元包括作為受控開關的第二晶體管及與所述第二晶體管連接且能使所述晶閘管本體在導通時門極處于浮空態的浮空器件。

10.根據權利要求9所述的無需驅動電流的晶閘管，其特征在于：所述浮空器件包括單個或多個并聯二極管。

11.根據權利要求9所述的無需驅動電流的晶閘管，其特征在于：所述浮空器件包括單個或多個并聯的電容。

12.根據權利要求9所述的無需驅動電流的晶閘管，其特征在于：所述浮空器件包括單個或多個并聯的第三晶體管。

13.根據權利要求9所述的無需驅動電流的晶閘管，其特征在于：所述第二晶體管包括多個并聯的子晶體管。

14.一種晶閘管封裝件，其特征在于：所述晶閘管封裝件至少包括：

形成在半導體襯底材料上的權利要求5至13中任一項所述的無需驅動電流的晶閘管；

將所形成的無需驅動電流的晶閘管予以封裝的殼體及外露于所述殼體且與所述無需驅動電流的晶閘管連接的門極引腳、陰極引腳及陽極引腳。

15.根據權利要求14所述的晶閘管封裝件，其特征在于，在所述殼體內還包括：與晶閘管本體的陰極電氣連接的第二導電層、與所述無需驅動電流的晶閘管的陰極電氣連接的第一導電層及隔離所述第一導電層與第二導電層的絕緣層。

16.根據權利要求15所述的晶閘管封裝件，其特征在于，在所述殼體內還包括：將所述第一導電層、第二導電層、絕緣層及所述半導體層疊結構予以夾設的第三導電層及第四導電層。其中第四導電層和所述無需驅動電流的晶閘管的陽極電氣連接，第三導電層和所述第二導電層電氣連接。

17.根據權利要求16所述的晶閘管封裝件，其特征在于：所述殼體與所述第三導電層及第四導電層接觸處均為導電材質、其余部分為陶瓷材質。

18.根據權利要求14至17任一項所述的晶閘管封裝件，其特征在于：所述殼體呈圓形。