[發明專利]一種大功率LED支架及大功率LED封裝結構

無效

• 申請號: 201210285694.9
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN102820409A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 盧志榮
• 申請（專利權）人: 深圳市灝天光電有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

?????本發明涉及一種用于LED封裝的支架，具體是一種耐高溫且適用于大功率發光二極管（LED）封裝的支架，以及使用上述支架的大功率LED封裝結構。

背景技術

白光發光二極管(Lighting?Emitting?Diode)具有效率高，壽命長，可靠性高，環保節能，應用靈活等諸多優點，被普遍認可為第四代的照明光源，具有廣闊的發展前景。制作大功率的光源更是未來LED主要發展的趨勢，隨著LED技術的進展，LED的光效率增加，導致更多的光和熱被耗散掉，這要求LED具有更好的耐熱性能和反射光的能力。大功率發光二極管封裝支架基座是把發光二極管芯片向側面發出的光大部分甚至全部反射出去的元件。因此，形成基座的材料必須具有良好的不透明性、反射性和耐熱性。

目前，大功率LED封裝支架的基座都是使用類似于尼龍的聚鄰苯二甲酰胺（PPA）的塑料組合物制成。在該塑料組合物中加入了纖維玻璃顆粒和氧化鈦顆粒以提供反射性，讓該塑料組合物具有一定的耐熱性和反射性且成本低。但是，在大功率LED封裝過程中，該塑料組合物因為它的耐熱性不夠好而很難使用高回流溫度的回流焊封裝。另外，因為該塑料組合物比用于將LED焊接到底座上的金錫共晶焊料有更低的熔融溫度，所以該塑料組合物與使用廣泛的金錫共晶焊料缺少相容性，妨礙著大功率LED性能的提高。

針對上述情況，也有人使用陶瓷為基座，這種陶瓷基座可提供良好的傳導率和耐熱性，從而很好的解決了以PPA為主的塑料組合物的缺陷。但是，由于陶瓷本身工藝與原料的原因導致使用陶瓷支架的成本相對較高，較高的成本變成了LED快速推向市場的障礙。

現今，各公司都希望能夠找到一種耐高溫、成本低的大功率LED支架。

發明內容

本發明的目的在于提供一種耐高溫、成本低的大功率LED支架。

為了達到上述技術目的，本發明采取的技術手段是一種大功率LED支架，包括導電腳以及包裹所述導電腳的基座，所述基座的頂部形成一凹腔，所述凹腔底部固設一熱沉，所述基座為耐高溫材料制作，所述的耐高溫材料主要是液晶高分子聚合物，且含有多個填料顆粒。

有益效果：本發明具有高耐熱性、高出光效率和高紫外光屏蔽性，并且成本低廉的優點，相對于現今使用的PPA支架，本發明有更高的耐熱性能，從而與用于將LED焊接到底座上的金錫共晶焊料有很好的相容性，提高了LED燈具的生產效率；相對于現今使用的陶瓷支架，本發明可通過注塑成型的方法實現高效率、低成本生產。

優選地，所述基座為白色基座。

優選地，所述基座高度為0.8mm~1.5mm，所述熱沉高度為0.1mm~0.5mm。

優選地，所述所述液晶高分子聚合物包括了以下化學基團：對羥基苯甲酸、聯苯二酚、酸酐、對苯二甲酸、4，4-苯甲酸、2，6-萘二甲酸、6-乙酰氧基-2-萘甲酸。

優選地，所述耐高溫材料含有15%~55%的填料。

優選地，所述填料包括納米TiO₂、被ZnO包覆的TiO₂、CeO₂、CaCO₃和玻璃。

優選地，所述納米TiO₂以及被ZnO包覆的TiO₂在耐高溫材料中的含量為12%~23%。

優選地，所述ZnO在耐高溫材料中的含量小于0.8%。

優選地，所述納米TiO₂的晶體結構為金紅石。

優選地，所述被ZnO包覆的TiO₂的晶體結構為銳鈦礦，外層ZnO顆粒大小為0.1nm~0.4nm，被ZnO包覆的TiO₂顆粒大小小于80nm。

優選地，所述金紅石納米TiO₂顆粒摻雜有亞鐵離子或者是經過氨基硅烷偶聯劑改性處理。

優選地，所述凹腔的底部和側面有一層光反射薄膜。

本發明還提供了一種采用前述一種大功率LED支架的大功率LED封裝結構，其中LED芯片固定在熱沉上，所述芯片與所述導電腳電連接，所述LED芯片被封裝膠體覆蓋，所述封裝膠體填充在所述凹腔內將LED芯片覆蓋。

有益效果：本發明提供的大功率LED封裝結構成功引入了高回流溫度的回流焊技術，提高了LED燈具的生產效率。

優選地，所述封裝膠體為熒光膠體。