[發(fā)明專利]灰階掩膜版及利用其形成的柱狀隔墊物無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210285671.8 | 申請日: | 2012-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN102819181A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳洪江;黎敏;查長軍 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/32 | 分類號: | G03F1/32;G02F1/1339 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 李娟 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 灰階掩膜版 利用 形成 柱狀 隔墊物 | ||
1.一種灰階掩膜版,包括透明襯底和形成于其上的遮光層,其特征在于,所述遮光層包括部分曝光區(qū),所述部分曝光區(qū)包括多個(gè)透光孔,所述多個(gè)透光孔均勻分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述多個(gè)透光孔分多行分布,每一行的同一行內(nèi)的相鄰?fù)腹饪字g的間隔相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述多個(gè)透光孔,包括m行和n列,同一行內(nèi)的相鄰?fù)腹饪字g的間隔a相同,同一列內(nèi)的相鄰?fù)腹饪字g的間隔b相同且a=b,其中m和n是大于等于2的自然數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述多個(gè)透光孔分多行分布,所述多行透光孔的相鄰行之間緊密相鄰且相鄰行的透光孔交錯(cuò)設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述所有透光孔圍成的圖案是圓形或橢圓形或菱形或矩形或正E邊形,其中E是大于等于3的自然數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰階掩膜版,其特征在于,每個(gè)所述透光孔是圓形或橢圓形或菱形或矩形或正F邊形,其中F是大于等于3的自然數(shù)。
7.一種灰階掩膜版,包括透明襯底和形成于其上的遮光層,其特征在于,所述遮光層包括部分曝光區(qū),所述部分曝光區(qū)包括曝光開口和位于曝光開口內(nèi)的多個(gè)遮光區(qū),所述多個(gè)遮光區(qū)均勻分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述多個(gè)遮光區(qū)分多行分布,每一行的同一行內(nèi)的相鄰遮光區(qū)之間的間隔相等。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述多個(gè)遮光區(qū),包括s行和t列,同一行內(nèi)的相鄰遮光區(qū)之間的間隔c相同,同一列內(nèi)的相鄰遮光區(qū)之間的間隔d相同且c=d,其中s和t是大于等于2的自然數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述多個(gè)遮光區(qū)分多行分布,所述多行遮光區(qū)的相鄰行之間緊密相鄰且相鄰行的遮光區(qū)交錯(cuò)設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的灰階掩膜版,其特征在于,所述曝光開口是圓形或橢圓形或菱形或矩形或正G邊形,其中G是大于等于3的自然數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的灰階掩膜版,其特征在于,每個(gè)所述遮光區(qū)是圓形或橢圓形或菱形或矩形或正H邊形,其中H是大于等于3的自然數(shù)。
13.一種柱狀隔墊物,其特征在于,所述柱狀隔墊物通過權(quán)利要求1至6中任一種灰階掩膜版形成,所述灰階掩膜版的部分曝光區(qū)下形成的柱狀隔墊物的上表面是凹凸不平的。
14.一種柱狀隔墊物,其特征在于,所述柱狀隔墊物通過權(quán)利要求7至12中任一種灰階掩膜版形成,所述灰階掩膜版的部分曝光區(qū)下形成的柱狀隔墊物的上表面是凹凸不平的。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





