[發明專利]新型CMOS-MEMS兼容的非制冷紅外傳感器像素級封裝方法

無效

• 申請號: 201210285478.4
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN102935994A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發明（設計）人: 黃立;高健飛
• 申請（專利權）人: 武漢高德紅外股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 武漢開元知識產權代理有限公司 42104
• 代理人: 唐正玉

1.新型CMOS-MEMS兼容的非制冷紅外傳感器像素級封裝方法，其特征在于按以下步驟進行：在器件晶圓的第一犧牲層上制備第二犧牲層并圖形化；利用薄膜制備技術在第二犧牲層上分別制備紅外增透膜和紅外透過層，并在紅外增透膜和紅外透過層上刻蝕出一個小孔；在紅外透過層上制備第三犧牲層并圖形化；在第三犧牲層上制備紅外增透膜，同時在紅外增透膜上刻蝕出一個小孔作為釋放孔；通過釋放孔去除所有犧牲層并將釋放孔用填孔材料密封，劃片制得新型CMOS-MEMS兼容的非制冷紅外傳感器。

2.根據權利要求1所述的新型CMOS-MEMS兼容的非制冷紅外傳感器像素級封裝方法，其特征在于：所述的器件晶圓具有讀出電路、探測器敏感元、第一犧牲層和除氣劑。

3.根據權利要求1所述的新型CMOS-MEMS兼容的非制冷紅外傳感器像素級封裝方法，其特征在于：所述的紅外增透膜的材料為ZnS。

4.根據權利要求1所述的新型CMOS-MEMS兼容的非制冷紅外傳感器像素級封裝方法，其特征在于：所述的紅外透過層的材料為Ge。

5.根據權利要求1所述的新型CMOS-MEMS兼容的非制冷紅外傳感器像素級封裝方法，其特征在于：所述的填孔材料為金屬材料。

6.根據權利要求1所述的新型CMOS-MEMS兼容的非制冷紅外傳感器像素級封裝方法，其特征在于：所述的除氣劑的材料為鈦。