[發(fā)明專利]組合存儲(chǔ)模塊和具有組合存儲(chǔ)模塊的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210285432.2
• 申請(qǐng)日: 2012-08-13
• 公開（公告）號(hào): CN103065673A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸海贊;金圣哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/16
• 分類號(hào): G11C11/16;G11C16/02
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 石卓瓊;俞波

1.一種組合存儲(chǔ)模塊，包括：

第一存儲(chǔ)單元，所述第一存儲(chǔ)單元被配置成儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；以及

儲(chǔ)存單元，所述儲(chǔ)存單元與所述第一存儲(chǔ)單元形成層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述第一存儲(chǔ)單元和所述儲(chǔ)存單元一起形成在儲(chǔ)存數(shù)據(jù)時(shí)具有可變電阻的多級(jí)單元。

2.如權(quán)利要求1所述的組合存儲(chǔ)模塊，其中，所述第一存儲(chǔ)單元包括具有可變電阻的單級(jí)存儲(chǔ)器單元。

3.如權(quán)利要求1所述的組合存儲(chǔ)模塊，其中，所述儲(chǔ)存單元包括具有可變電阻的單級(jí)存儲(chǔ)器單元。

4.如權(quán)利要求1所述的組合存儲(chǔ)模塊，其中，所述儲(chǔ)存單元包括具有可變電阻的多級(jí)存儲(chǔ)器單元。

5.一種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，包括：

中央處理單元；

控制模塊，所述控制模塊被配置成與所述中央處理單元接口；以及

組合存儲(chǔ)模塊，所述組合存儲(chǔ)模塊被配置成與所述控制模塊接口，

其中，所述組合存儲(chǔ)模塊包括：

第一存儲(chǔ)單元，所述第一存儲(chǔ)單元被配置成對(duì)從所述控制模塊提供的地址的映射進(jìn)行控制；以及

儲(chǔ)存單元，所述儲(chǔ)存單元與所述第一存儲(chǔ)單元形成層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述第一存儲(chǔ)單元和所述儲(chǔ)存單元一起形成在儲(chǔ)存數(shù)據(jù)時(shí)具有可變電阻的多級(jí)單元。

6.如權(quán)利要求5所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述第一存儲(chǔ)單元包括具有可變電阻的單級(jí)存儲(chǔ)器單元。

7.如權(quán)利要求5所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述儲(chǔ)存單元包括具有可變電阻的單級(jí)存儲(chǔ)器單元。

8.如權(quán)利要求5所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述儲(chǔ)存單元包括具有可變電阻的多級(jí)存儲(chǔ)器單元。

9.如權(quán)利要求5所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述組合存儲(chǔ)模塊包括：

形成層疊結(jié)構(gòu)的第一字線和第二字線；

位于所述第一字線與所述第二字線之間的多個(gè)位線；

連接在所述第一字線與所述多個(gè)位線中的每個(gè)之間的第一可變電阻單元，其中，所述第一可變電阻單元被包括在所述第一存儲(chǔ)單元中；以及

連接在所述第二字線與所述多個(gè)位線中的每個(gè)之間的第二可變電阻單元，其中，所述第二可變電阻單元被包括在所述儲(chǔ)存單元中。

10.如權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述控制模塊包括多個(gè)控制器和分別與所述多個(gè)控制器連接的多個(gè)緩沖器。

11.如權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)緩沖器的數(shù)目與所述第一字線和所述第二字線的數(shù)目相同。