[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201210285258.1
• 申請日: 2012-08-10
• 公開（公告）號: CN103576401A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 李鑫;唐磊;張瑩;裴揚;王振偉
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 張穎玲;孟桂超

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，該方法包括：

通過構圖工藝在基板上順序形成柵極、半導體層和像素透明電極的圖形；

通過構圖工藝形成第一數據線、源漏電極、第二數據線的圖形，所述第二數據線與所述像素透明電極連接；

通過構圖形成絕緣層，并在絕緣層上形成過孔；

通過構圖工藝形成第一公共透明電極、第二公共透明電極的圖形；所述第二公共透明電極通過絕緣層上的過孔與所述第二數據線連接；其中，所述第二數據線與所述第二公共透明電極設置于非開口區域。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，通過構圖工藝在基板上順序形成柵極、半導體層和像素透明電極的圖形具體為：

在基板上通過沉積形成柵極金屬層，并通過光刻和刻蝕的構圖工藝形成柵極的圖形；通過沉積形成半導體層，并通過光刻和刻蝕的構圖工藝形成半導體層的圖形；通過沉積形成像素透明電極金屬層，并通過光刻和刻蝕的構圖工藝形成像素透明電極的圖形。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過構圖工藝形成第一數據線、源漏電極、第二數據線的圖形具體為：

通過沉積形成第一數據線金屬層和第二數據線金屬層，并通過光刻和刻蝕的構圖工藝形成第一數據線的圖形和第二數據線的圖形。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過構圖形成絕緣層，并在絕緣層上形成過孔具體為：

通過沉積形成一層絕緣層，并通過光刻和刻蝕的構圖工藝形成設置有過孔的絕緣層的圖形；所述過孔的圖形與第二數據線的圖形相同。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，通過構圖工藝形成第一公共透明電極、第二公共透明電極的圖形具體為：

通過沉積形成第一公共透明電極金屬層和第二公共透明電極金屬層，并通過光刻和刻蝕的構圖工藝形成第一公共透明電極金屬層的圖形和第二公共透明電極金屬層的圖形。