[發明專利]磁隧道結器件、存儲器、存儲系統及電子設備

在審

• 申請號: 201210285196.4
• 申請日: 2012-08-10
• 公開（公告）號: CN102956813A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 樸正憲;金英鉉;樸相奐;吳世忠;李將銀;林佑昶
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L43/02
• 分類號: H01L43/02;H01L43/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種磁隧道結器件，包括：

第一結構，包括磁層；

第二結構，包括至少兩個外在垂直磁化結構，每個外在垂直磁化結構包括磁層以及該磁層上的垂直磁化誘導層；及

隧道勢壘，位于所述第一結構和第二結構之間。

2.根據權利要求1所述的磁隧道結器件，所述第二結構還包括：

另外的外在垂直磁化結構，每個包括磁層以及該磁層上的垂直磁化誘導層。

3.根據權利要求1所述的磁隧道結器件，還包括：

在所述垂直磁化誘導層之一上的垂直磁化保護層。

4.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中每個磁層具有比每個垂直磁化誘導層小的氧親合勢。

5.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中每個垂直磁化保護層具有比每個垂直磁化誘導層小的氧親合勢。

6.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中所述磁層由鐵磁材料制成。

7.根據權利要求6所述的磁隧道結器件，其中所述鐵磁材料是CoFeB、CoFe、NiFe、CoFePt、CoFePd、CoFeCr、CoFeTb、CoFeGd及CoFeNi中至少之一。

8.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中所述磁層具有在1埃至30埃范圍內的厚度。

9.根據權利要求8所述的磁隧道結器件，其中所述磁層具有在3埃至17埃范圍內的厚度。

10.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中所述垂直磁化誘導層與所述磁層直接接觸。

11.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中所述垂直磁化誘導層是含氧材料。

12.根據權利要求11所述的磁隧道結器件，其中所述垂直磁化誘導層是金屬氧化物。

13.根據權利要求12所述的磁隧道結器件，其中所述金屬氧化物是鎂氧化物、鉭氧化物、鈦氧化物、鋁氧化物、鎂鋅氧化物、鉿氧化物、及鎂硼氧化物中至少之一。

14.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中所述垂直磁化誘導層包括Ta、Ti、U、Ba、Zr、Al、Sr、Hf、La、Ce、Sm、Mg、Th、Ca、Sc、及Y中至少之一。

15.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中所述垂直磁化誘導層具有比所述磁層或所述垂直磁化保護層高的電阻率。

16.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中所述垂直磁化誘導層具有比所述磁層或所述垂直磁化保護層小的厚度。

17.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中所述垂直磁化保護層具有比所述垂直磁化誘導層低的電阻率。

18.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中所述垂直磁化保護層由至少一種貴金屬或銅形成。

19.根據權利要求18所述的磁隧道結器件，其中所述至少一種貴金屬包括釕（Ru）、銠（Rh）、鈀（Pd）、銀（Ag）、鋨（Os）、銥（Ir）、鉑（Pt）、及金（Au）。

20.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，其中所述垂直磁化保護層由至少一種電阻率比鉭或鈦低的材料形成。

21.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，還包括：

基板；

其中所述第一結構是更接近所述基板的下部結構，且其中所述第二結構是遠離所述基板的上部結構。

22.根據權利要求21所述的磁隧道結器件，其中所述第二結構的所述磁層是自由磁層。

23.根據權利要求21所述的磁隧道結器件，所述第一結構包括固定磁層。

24.根據權利要求21所述的磁隧道結器件，還包括：

頂電極，在所述垂直磁化保護層上。

25.根據權利要求3所述的磁隧道結器件，還包括：

基板；

其中所述第一結構是遠離所述基板的上部結構，且其中所述第二結構是更接近所述基板的下部結構。