[發明專利]銅濺射靶材料和濺射法

無效

• 申請號: 201210284852.9
• 申請日: 2009-06-30
• 公開（公告）號: CN102816996A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 外木達也;辰巳憲之;井坂功一;本谷勝利;小田倉正美
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/34
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;陳彥

1.一種用于TFT的銅膜，其特征在于，具有由銅材構成的濺射面，所述濺射面具有一個晶體取向面和其它晶體取向面，

所述一個晶體取向面為（111）面，所述其它晶體取向面包括（200）面、（220）面和（311）面，

所述用于TFT的銅膜是使用相對于所述（111）面、所述（200）面、所述（220）面和所述（311）面的總和，所述（111）面的占有率為15%以上的銅濺射靶材料而形成的拉伸殘留應力為120N/mm²以下的銅膜。

2.根據權利要求1所述的用于TFT的銅膜，其中，所述用于TFT的銅膜是使用所述（111）面的占有率為15%以上的銅濺射靶材料而形成的拉伸殘留應力為120N/mm²以下、且不具有氣孔的用于TFT的銅膜。

3.根據權利要求1所述的用于TFT的銅膜，其中，所述用于TFT的銅膜是，使用所述（111）面的占有率為25%以上的銅濺射靶材料而形成的拉伸殘留應力為120N/mm²以下、且不具有氣孔的用于TFT的銅膜。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的用于TFT的銅膜，其中，所述用于TFT的銅膜是使用所述銅材為含銅和不可避免的雜質的無氧銅、或銅合金的銅濺射靶材料而形成的。

5.根據權利要求4所述的用于TFT的銅膜，其中，所述用于TFT的銅膜是使用所述無氧銅或所述銅合金中氧含量為5ppm以下的銅濺射靶材料而形成的。