[發明專利]多重柵晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201210284812.4
• 申請日: 2012-08-10
• 公開（公告）號: CN103579318A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張艷杰;張浴月

1.一種多重柵晶體管，其特征在于，包括：

一半導體基板；

一W形溝槽，位于該半導體基板的一部分內并依照一第一方向延伸；

一半導體橋，依照垂直于該第一方向的一第二方向延伸于該半導體基板上，該半導體橋橫跨該W形溝槽的一部分并連結該半導體基板，該半導體橋具有一平坦頂面以及一圓弧狀底面；

一氧化物層，部分地環繞該半導體橋的該平坦頂面與該圓弧狀底面的一部分；以及

一導電層，依照該第一方向延伸并形成于該半導體基板與該氧化物層上，該導電層環繞該氧化物層并部分地填入于該W形溝槽內。

2.根據權利要求1所述的多重柵晶體管，其特征在于，還包括一對導電摻雜區，分別設置于沿該第二方向上的該導電層的對稱側的該半導體橋的一部分與該半導體橋所連結的該半導體基板的一部分內，以作為一源極/漏極區。

3.根據權利要求1所述的多重柵晶體管，其特征在于，該半導體基板與該半導體橋包括相同材料，且該半導體橋為該半導體基板的一部分。

4.根據權利要求3所述的多重柵晶體管，其中該半導體基板與該半導體橋包括硅。

5.根據權利要求1所述的多重柵晶體管，其特征在于，該氧化物層包括氧化硅。

6.一種多重柵晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導體基板；

于該半導體基板內一部分內形成一W形溝槽與一半導體橋，其中該W形溝槽位于該半導體基板的一部分內并依照一第一方向延伸，而該半導體橋依照垂直于該第一方向的一第二方向延伸于該半導體基板上并橫跨該W形溝槽的一部分且連結該半導體基板，該半導體橋具有一平坦頂面以及一圓弧狀底面；

形成一氧化物層，該氧化物層部分地環繞該半導體橋的該平坦頂面與該圓弧狀底面的一部分；以及

形成一導電層，該導電層依照該第一方向延伸并形成于該半導體基板與該氧化物層上，其中該導電層環繞該氧化物層并部分地填入于該W形溝槽內。

7.根據權利要求6所述的多重柵晶體管的制造方法，其特征在于，還包括形成一對導電摻雜區于沿該第二方向上的該導電層的對稱側的該半導體橋的一部分與該半導體橋所連結的該半導體基板的一部分內，以作為一源極/漏極區。

8.根據權利要求6所述的多重柵晶體管的制造方法，其特征在于，該半導體基板與該半導體橋包括相同材料，且該半導體橋為該半導體基板的一部分。

9.根據權利要求8所述的多重柵晶體管的制造方法，其特征在于，該半導體基板與該半導體橋包括硅。

10.根據權利要求6所述的多重柵晶體管的制造方法，其特征在于，該氧化物層包括氧化硅。