[發明專利]一種射頻功放裝置以及一種射頻功率放大方法在審
| 申請號: | 201210284534.2 | 申請日: | 2012-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN103580623A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 陳化璋;王剛;崔曉俊 | 申請(專利權)人: | 中興通訊股份有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/189 | 分類號: | H03F3/189;H03F3/30 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 白瑩;龍洪 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 射頻 功放 裝置 以及 功率 放大 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電路設計技術領域,尤其涉及一種射頻功放裝置以及一種射頻功率放大方法。
背景技術
面對日益激烈的通信市場競爭,基站產品的效率高低已經成為業內競爭的焦點,功放產品作為基站中的主要部件,其效率提升也成了重中之重,各廠家都在研究功放效率的提升方案,多赫蒂(Doherty)功放技術是一項成熟的功放技術,圖1為相應的模塊組成結構。各廠商都已在批量生產該功放,并且各廠商依然在探索Doherty技術,使該技術更容易調試,一致性更好,性能更穩定可靠。
隨著基站產品的競爭越來越激烈,客戶提出來許多新的需求,比如峰均比進一步增大、機頂功率的進一步提升等,目前單個Doherty功放不能滿足此類需求。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種射頻功放裝置以及一種射頻功率放大方法,解決單個Doherty功放不能滿足功放性能要求的問題。
為了解決上述技術問題,本發明提供了一種射頻功放裝置,所述裝置包括N個并聯的功率支路;每個功率支路包括移相器和多赫蒂功率放大器;其中N為大于1的整數;所述移相器,用于進行信號相位補償。
進一步地,上述裝置還可以具有以下特點:
每個功率支路中,所述移相器的輸出端連接驅動器的輸入端,所述驅動器的輸出端連接多赫蒂功率放大器的輸出端。
進一步地,上述裝置還可以具有以下特點:
所述移相器是芯片裝置或者模擬電路裝置。
進一步地,上述裝置還可以具有以下特點:
所述N為大于1的整數。
進一步地,上述裝置還可以具有以下特點:
所述裝置包括功率分配模塊和功率合成模塊;
所述N個并聯的功率支路的輸入端連接所述功率分配裝置的輸出端;
所述N個并聯的功率支路的輸出端連接所述功率合成模塊的輸入端。
為了解決上述技術問題,本發明提供了一種射頻功率放大方法,包括:將信號分配到N個并聯的功率支路上,在每個功率支路上使用移相器進行信號相位補償后通過多赫蒂功率放大器進行信號放大,其中N為大于1的整數。
進一步地,上述方法還可以具有以下特點:
每個功率支路中,通過移相器進行信號相位補償后輸入至驅動器,將驅動器的輸出信號輸入至多赫蒂功率放大器。
進一步地,上述方法還可以具有以下特點:
所述移相器是芯片裝置或者模擬電路裝置。
進一步地,上述方法還可以具有以下特點:
所述N為大于1的整數。
進一步地,上述方法還可以具有以下特點:
通過功率分配裝置將輸入信號分配到所述N個并聯的功率支路,通過功率合成模塊將所述N個并聯的功率支路的功率放大信號進行合成輸出。
本方案進行兩個甚至兩個以上dohertny功放合成,并對合成doherty功放進行調整,在合成doherty電路中引入移相器對信號進行相位補償,提高功率放大效率的同時,保證效率、線性等指標,同時使調試更加方便和容易,并且使裝置的一致性能更好,運行更穩定可靠,本方案還可以滿足用戶的新需求,例如更高的功率和更大峰均比等需求。
附圖說明
圖1是現有技術中Doherty功率放大器的結構圖;
圖2是實施例中射頻功放裝置的結構圖;
圖3是實施例中另一種射頻功放裝置的結構圖。
具體實施方式
圖1中調整doherty的相位時,需要調整偏置1和偏置2兩條微帶線來調整doherty的相位,此種方法要通過割線、補線等操作來實現,調試不方便,且一致性較差。本方案中引入了移相器,在每路的doherty電路中,采用移相器,通過移相器方便的補償每路doherty之間的相位,使功率合成時相位對的更方便、更準,更方便的兼顧效率與線性。
如圖2所示,射頻功放裝置包括N個(N為大于1的整數,例如N為2或3)并聯的功率支路,每個功率支路包括移相器和多赫蒂功率放大器,所述移相器用于進行信號相位補償。
如圖3所示,具體電路中,每個功率支路中還可以包括驅動器(driver),移相器的輸出端連接驅動器的輸入端,驅動器的輸出端連接多赫蒂功率放大器的輸出端。所述裝置還可以包括功率分配模塊和功率合成模塊;所述N個并聯的功率支路的輸入端連接所述功率分配裝置的輸出端;所述N個并聯的功率支路的輸出端連接所述功率合成模塊的輸入端。
所述移相器是芯片裝置或者模擬電路裝置。
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