[發明專利]半導體器件的回流裝置

有效

• 申請號: 201210284359.7
• 申請日: 2006-03-16
• 公開（公告）號: CN102825356A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 松井弘之;松木浩久;大竹幸喜
• 申請（專利權）人: 富士通半導體股份有限公司
• 主分類號: B23K3/00
• 分類號: B23K3/00;B23K3/08
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;張志杰

1.一種回流裝置，包括：

爐，包括晶片接收區域、回流處理區域及取出區域，并具有由防護構件完全覆蓋的內壁；

蟻酸導入機構，安裝在該回流處理區域中；

惰性氣體導入機構，在該爐內產生惰性氣體氛圍；

加熱器，用于蟻酸分解，充分散布在該爐的內壁與該防護構件之間；

裝載機，承載多個晶片至該晶片接收區域；

卸載機，從該取出區域中卸出所述多個晶片；

第一閘門，位于該裝載機與該晶片接收區域之間；以及

第二閘門，位于該取出區域與該卸載機之間。

2.如權利要求1所述的回流裝置，還包括：

氮氣的氣幕機構，設置在該第一閘門附近；以及

另一氮氣的氣幕機構，設置在該第二閘門附近。

3.如權利要求1所述的回流裝置，其中該惰性氣體是氮氣或氬氣。

4.如權利要求1所述的回流裝置，其中所述多個晶片放置在處理盒中，并由該處理盒運送到該爐內。

5.如權利要求4所述的回流裝置，其中該處理盒中設置有狹縫。

6.如權利要求1所述的回流裝置，其中該防護構件由包含耐蝕金屬合金和SUS316L其中一種的金屬材料制成。

7.如權利要求1所述的回流裝置，其中該防護構件由環氧樹脂和聚茚樹脂的其中一種制成。

8.如權利要求1所述的回流裝置，其中該防護構件由聚烯烴和耐熱PTFE（聚四氟乙烯）的其中一種涂覆。

9.如權利要求1所述的回流裝置，其中該回流處理區域是經加熱的處理室，設定于第一溫度，該經加熱的處理室上安裝有焊料構件，并被提供有該第一溫度的氛圍氣體。

10.如權利要求9所述的回流裝置，其中該經加熱的處理室被設定于第二溫度，并且所安裝的焊料構件在該第二溫度下成為熔融處理的焊料構件。

11.如權利要求10所述的回流裝置，其中該熔融處理的焊料構件為熱熔融焊料凸點。