[發明專利]在干燥和壓力支撐組裝過程中固定半導體管芯有效
| 申請號: | 201210283742.0 | 申請日: | 2012-08-10 | 
| 公開(公告)號: | CN102931123A | 公開(公告)日: | 2013-02-13 | 
| 發明(設計)人: | R.巴耶雷爾 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 | 
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 | 
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;盧江 | 
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 干燥 壓力 支撐 組裝 過程 固定 半導體 管芯 | ||
1.一種制造用于在將半導體管芯聯結到基板中使用的夾具的方法,所述方法包括:
加熱工模具,所述工模具具有基部和限定所述工模具的形狀的、從所述基部延伸的多個隔開的突起;和
在所述工模具被加熱時朝著所述工模具擠壓可彈性變形箔片夾具,從而所述箔片夾具變形為所述工模具的形狀。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述箔片夾具在高達150℃的溫度和高達5巴的壓力下被朝著所述工模具擠壓。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述箔片夾具是能夠經受高于200℃的溫度的塑料箔片夾具。
4.根據權利要求3所述的方法,其中所述塑料箔片夾具能夠經受高于260℃的溫度。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述箔片夾具是允許塑性變形的PTFE箔片夾具、聚酰亞胺箔片夾具、液晶聚合物箔片夾具或者非燒結陶瓷箔片夾具之一。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述箔片夾具具有在20μm到500μm之間的厚度。
7.根據權利要求6所述的方法,其中所述箔片夾具具有在100μm到250μm之間的厚度。
8.根據權利要求1所述的方法,其中所述工模具的形狀對應于多個半導體管芯、將被聯結到所述多個半導體管芯的一個或者多個基板或者將被聯結到所述一個或者多個基板的底板。
9.一種在基板上組裝半導體管芯的方法,包括:
提供多個半導體管芯、基板和預成型有具有側壁和底部的一個或者多個沉降區域的可彈性變形箔片夾具;
將所述多個半導體管芯置放在所述一個或者多個沉降區域中以填充所述箔片夾具,使得所述多個半導體管芯的第一側面向所述一個或者多個沉降區域的所述底部并且所述多個半導體管芯的第二相對側背離所述一個或者多個沉降區域的所述底部;
鄰近所述多個半導體管芯的第二側置放所述基板,使得結合材料被置入所述基板和所述多個半導體管芯之間;和
經由第一和第二擠壓工具部件在升高的溫度和壓力下一起擠壓所述基板和填充的箔片夾具,從而所述基板經由所述結合材料而被聯結到所述多個半導體管芯的所述第二側。
10.根據權利要求9所述的方法,其中在升高的溫度和壓力下一起擠壓所述基板和所述填充的箔片夾具之前,所述方法進一步包括:
將所述填充的箔片夾具夾持到所述基板從而所述基板位于所述填充的箔片夾具上方;和
翻轉所夾持的布置從而所述基板位于所述填充的箔片夾具下面。
11.根據權利要求9所述的方法,其中所述箔片夾具被預成型為適配所述基板的不含半導體管芯的邊緣和角部區域。
12.根據權利要求9所述的方法,其中所述結合材料是燒結材料并且所述第一和第二擠壓工具部件是燒結工具的一部分。
13.根據權利要求9所述的方法,其中所述結合材料是焊接材料并且所述第一和第二擠壓工具部件是擴散焊接工具的一部分。
14.根據權利要求9所述的方法,其中在升高的溫度和壓力下一起擠壓所述基板和所述填充的箔片夾具時,所述填充的箔片夾具的端部區域在所述第一和第二擠壓工具部件之間形成密封。
15.根據權利要求9所述的方法,其中第一或者第二擠壓工具部件包括硅樹脂墊片,所述硅樹脂墊片施加流體靜壓以一起擠壓所述基板和所述填充的箔片夾具。
16.根據權利要求9所述的方法,其中鄰近所述填充的箔片夾具的所述擠壓工具部件包括用于朝著所述多個半導體管芯的第一側擠壓所述箔片夾具的所述一個或者多個沉降區域的所述底部的多個柱塞。
17.根據權利要求9所述的方法,其中所述箔片夾具的所述一個或者多個沉降區域具有對應于所述多個半導體管芯、被置放在所述多個半導體管芯的所述第一側和所述一個或者多個沉降區域的所述底部之間的一個或者多個支撐基板或者被置放在所述一個或者多個支撐基板和所述一個或者多個沉降區域的所述底部之間的底板的形狀和間隔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





