[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201210283542.5
• 申請日: 2009-07-31
• 公開（公告）號: CN102842585A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 山崎舜平;宮入秀和;宮永昭治;秋元健吾;白石康次郎
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;李雪春

1.一種半導體裝置，包括：

襯底上的柵電極，所述柵電極含有銅；

所述柵電極上的第一絕緣膜，所述第一絕緣膜含有氮化硅；

所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜，所述第二絕緣膜含有氧化硅；

所述第二絕緣膜上的氧化物半導體膜，所述氧化物半導體膜含有銦和氧；

所述氧化物半導體膜上的源電極；

所述氧化物半導體膜上的漏電極；

所述氧化物半導體膜、所述源電極及所述漏電極上的第三絕緣膜，所述第三絕緣膜含有氧化硅；

所述第三絕緣膜上的第四絕緣膜，所述第四絕緣膜含有氮化硅；以及

所述第四絕緣膜上的像素電極，所述像素電極電連接到所述源電極和所述漏電極中的一個，

其中，所述氧化物半導體膜在所述源電極和所述漏電極之間具有凹部，所述凹部與所述柵電極重疊，

并且，所述第三絕緣膜接觸于所述凹部。

2.一種半導體裝置，包括：

襯底上的柵電極，所述柵電極含有銅；

所述柵電極上的第一絕緣膜，所述第一絕緣膜含有氮化硅；

所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜，所述第二絕緣膜含有氧化硅；

所述第二絕緣膜上的氧化物半導體膜，所述氧化物半導體膜含有銦和氧；

所述氧化物半導體膜上的源電極；

所述氧化物半導體膜上的漏電極；

所述氧化物半導體膜、所述源電極及所述漏電極上的第三絕緣膜，所述第三絕緣膜含有氧化硅；

所述第三絕緣膜上的第四絕緣膜，所述第四絕緣膜含有氮化硅；

所述第四絕緣膜上的第五絕緣膜；以及

所述第五絕緣膜上的像素電極，所述像素電極電連接到所述源電極和所述漏電極中的一個，

其中，所述氧化物半導體膜在所述源電極和所述漏電極之間具有凹部，所述凹部與所述柵電極重疊，

并且，所述第三絕緣膜接觸于所述凹部。

3.一種半導體裝置，包括：

襯底上的柵電極，所述柵電極含有銅；

所述柵電極上的第一絕緣膜，所述第一絕緣膜含有氮化硅；

所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜，所述第二絕緣膜含有氧化硅；

所述第二絕緣膜上的氧化物半導體膜，所述氧化物半導體膜含有銦和氧；

所述氧化物半導體膜上的源電極；

所述氧化物半導體膜上的漏電極；

所述氧化物半導體膜、所述源電極及所述漏電極上的第三絕緣膜，所述第三絕緣膜含有氧化硅；

所述第三絕緣膜上的第四絕緣膜，所述第四絕緣膜含有氮化硅；

所述第四絕緣膜上的第五絕緣膜；

所述第五絕緣膜上的像素電極，所述像素電極電連接到所述源電極和所述漏電極中的一個，

所述像素電極上的液晶層；

所述液晶層上的第二襯底；以及

所述襯底和所述第二襯底之間的間隔物，所述間隔物與所述柵電極重疊，

其中，所述氧化物半導體膜在所述源電極和所述漏電極之間具有凹部，所述凹部與所述柵電極重疊，

并且，所述第三絕緣膜接觸于所述凹部。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體膜含有In-Ga-Zn-O類氧化物半導體。

5.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體膜含有選自于由In-Sn-Ga-Zn-O類氧化物半導體、In-Sn-Zn-O類氧化物半導體、In-Al-Zn-O類氧化物半導體、In-Zn-O類氧化物半導體、In-Mg-O類氧化物半導體、In-Ga-O類氧化物半導體以及In-O類氧化物半導體組成的群組中的一個。

6.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體膜的載流子濃度小于1×10¹⁷/cm³。

7.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，還包括：

所述氧化物半導體膜和所述源電極之間的第一n型緩沖層；以及

所述氧化物半導體膜和所述漏電極之間的第二n型緩沖層。

8.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，還包括連接于所述襯底的FPC。

9.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其中所述第五絕緣膜含有丙烯酸樹脂。