[發(fā)明專利]通孔組件模塊及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210283217.9 | 申請日： | 2012-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN103208482A | 公開（公告）日： | 2013-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳志華;陳承先;蕭景文 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 組件 模塊 及其 形成 方法 | ||
1.一種器件，包括：
獨立的通孔組件(TAV)模塊，包括：
具有頂面的襯底；以及
自所述襯底的所述頂面延伸進(jìn)入所述襯底的導(dǎo)電通孔，其中，所述獨立的TAV模塊不具有與所述導(dǎo)電通孔中的每一個的一端都接觸的導(dǎo)電部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述導(dǎo)電通孔的底面與所述襯底的底面基本齊平，并且露出所述導(dǎo)電通孔的底面和所述襯底的底面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述導(dǎo)電通孔的底面高于所述襯底的底面，并且所述導(dǎo)電通孔的底面與所述襯底的底面被所述襯底的一層隔離開。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括位于所述導(dǎo)電通孔上方并與所述導(dǎo)電通孔相連接的多條再分配線，其中，沒有再分配線位于所述導(dǎo)電通孔下方并與所述導(dǎo)電通孔相連接，以及所述導(dǎo)電通孔是穿透所述襯底的通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括延伸進(jìn)入所述襯底的多個通道，其中所述多個通道相互平行，并且所述多個通道的長度大于所述多個通道的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述多個通道包括：
多個第一通道，所述多個第一通道互連從而形成電容器的第一電容器板，所述多個第一通道通過位于所述襯底上方的第一再分配線互連；以及
多個第二通道，所述多個第二通道互連從而形成所述電容器的第二電容器板，所述多個第二通道通過位于所述襯底上方的第二再分配線互連。
7.一種器件，包括：
獨立的通孔組件(TAV)模塊，包括：
具有頂面的襯底；
穿透所述襯底的通孔；以及
穿透所述襯底的多個通道，所述多個通道在縱向方向上相互平行，并且所述多個通道的長度大于所述多個通道的寬度。
8.一種方法，包括：
形成從晶圓的頂面延伸進(jìn)入所述晶圓的多個通孔；
形成從所述晶圓的頂面延伸進(jìn)入所述晶圓的多個通道，其中所述多個通道相互平行，并且所述多個通道的長度大于所述多個通道的寬度；
形成位于所述多個通孔上方并與所述多個通孔連接的多條再分配線；
對所述晶圓的襯底的背面進(jìn)行背面研磨；以及
對所述晶圓進(jìn)行管芯鋸割以將所述晶圓分割成多個管芯。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在所述背面研磨之后，露出所述通孔的表面，并且在露出所述通孔的表面和所述襯底的背面時進(jìn)行所述管芯鋸割。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在管芯鋸割步驟之后，所述多個通道相互電斷開。
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