[發明專利]一種溝槽柵型MOS管及其制造方法

有效

• 申請號: 201210283170.6
• 申請日: 2012-08-10
• 公開（公告）號: CN103035645A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 王飛;鐘秋
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種溝槽柵型MOS管，其特征是，包括：P型外延層或P型硅襯底中形成的N阱，N阱中形成有N+注入層，N阱一側的P型外延層或P型硅襯底中并列排布有多個彼此串聯的MOS結構；

所述MOS結構包括：形成在所述P型外延層或P型硅襯底中溝槽內的柵氧化層，柵氧化層中形成有多晶硅柵，柵氧化層的一側形成有N+注入層；

每個多晶硅柵與其旁側MOS結構的N+注入層相連，N阱中的N+注入層引出作為本器件的一連接端，P型外延層或P型硅襯底中最遠離N阱的N+注入層引出作為本器件另一連接端。

2.如權利要求1所述的溝槽柵型MOS管，其特征是：所述MOS結構是制造參數、器件結構完全相同的。

3.一種溝槽柵型MOS管，其特征是，包括：N型外延層或N型硅襯底形成的P阱，P阱一側的N型外延層或N型硅襯底中形成有N+注入層，P阱中并列排布有多個彼此串聯的MOS結構；

所述MOS結構包括：形成在所述P阱中溝槽內的柵氧化層，柵氧化層中形成有多晶硅柵，柵氧化層的一側形成有N+注入層；

每個多晶硅柵與其旁側MOS結構的N+注入層相連，所述N型外延層或N型硅襯底中的N+注入層引出作為本器件的一連接端，P阱中最遠離N型外延層或N型硅襯底中N+注入層的N+注入層引出作為本器件另一連接端。

4.如權利要求3所述的溝槽柵型MOS管，其特征是：所述MOS結構是制造參數、器件結構完全相同的。

5.如權利要求1或3所述的溝槽柵型MOS管，其特征是：所述柵氧化層是單層均勻厚度的結構。

6.一種溝槽柵型MOS管的制造方法，其特征是，包括：

一、P型外延層或P型硅襯底上形成N阱；

二、在P型外延層或P型硅襯底刻蝕形成多個溝槽，在溝槽內生長柵氧化層；

三、在溝槽內淀積多晶硅柵，刻蝕形成柵極；

四、在N阱和P型外延層或P型硅襯底中注入形成N+注入層；

五、將每個多晶硅柵與其旁側MOS結構的N+注入層相連，將N阱中的N+注入層引出作為本器件的一連接端，將最遠離N阱的MOS結構的N+注入層引出作為本器件的另一連接端。

7.一種溝槽柵型MOS管的制造方法，其特征是，包括：

A、N型外延層或N型硅襯底上形成P阱；

B、在P阱中刻蝕形成多個溝槽，在溝槽內生長柵氧化層；

C、在溝槽內淀積多晶硅柵，刻蝕形成柵極；

D、在P阱和N型外延層或N型硅襯底中注入形成N+注入層；

E、將每個多晶硅柵與其旁側MOS結構的N+注入層相連，所述P阱中的N+注入層引出作為本器件的一連接端，將最遠離N型外延層或N型硅襯底中N+注入層的MOS結構的N+注入層引出作為本器件另一連接端。